[实用新型]晶舟及晶圆存放机构有效
| 申请号： | 201320061526.1 | 申请日： | 2013-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN203103272U | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 方三军;朱瑜杰;陈思安;徐萍 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存放 机构 | ||
【权利要求书】：
一种晶舟，包括一个顶盖和若干用以放置晶圆的晶圆槽，所述顶盖平行于所述晶圆槽，所述顶盖的两个相对的边缘分别设有一个宽开口和一个窄开口，另两个相对的边缘平行设置，且在晶圆槽上的垂直投影分别位于晶圆的两侧，其特征在于：在所述宽开口和所述窄开口内还设有两个弧形部，每个所述弧形部包括一个圆弧边缘和一个圆弦边缘，两个所述圆弦边缘分别与所述宽开口和所述窄开口连接，所述顶盖在所述晶圆槽上的垂直投影覆盖所述晶圆。
如权利要求1所述的晶舟，其特征在于：所述圆弧边缘在所述晶圆槽上的垂直投影与所述晶圆的外轮廓匹配。
如权利要求2所述的晶舟，其特征在于：所述圆弧边缘的半径与所述晶圆的半径相同。
如权利要求2所述的晶舟，其特征在于：所述圆弧边缘的圆心在所述晶圆槽上的垂直投影与所述晶圆的圆心重合。
如权利要求1所述的晶舟，其特征在于：所述顶盖和与之相邻的晶圆槽之间的间距等于所述晶圆槽与相邻晶圆槽之间的间距。
一种晶圆存放机构，包括一个晶盒，其特征在于：还包括了如权利要求1至5任意之一所述的晶舟，所述晶舟位于在所述晶盒内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
