[实用新型]一种碳化硅晶体生长用感应线圈绝缘支架

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种感应线圈绝缘支架，尤其涉及一种碳化硅晶体生长用感应线圈绝缘支架。

背景技术

碳化硅晶体（SiC）半导体材料是继第一代元素半导体材料（Si）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代宽带隙（Wide Band-gap Semiconductor,WBS）半导体材料的代表。与前两代半导体材料相比，SiC具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度以及极好的化学稳定性等特点，在光电子和微电子领域，具有巨大的应用潜力。

碳化硅生长过程中需要2200度以上的高温，为减少接触性杂质掺入晶体，目前用感应加热实现，为此选用耐高温材料聚四氟乙烯做感应加热线圈的支架。

感应加热线圈的支架用聚四氟乙烯制成，但支架间距不可调，影响磁场的空间分布的灵活调节。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种碳化硅晶体生长用感应线圈绝缘支架，不用拆卸感应线圈就可以调节感应线圈匝间距，方便调节感应线圈的磁场分布。

本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：一种碳化硅晶体生长用感应线圈绝缘支架，所述感应线圈由铜线螺旋盘绕而成，所述绝缘支架上设有竖直排列的螺孔，所述螺孔通过螺钉与每一层感应线圈固定连接在一起，所述每一层感应线圈之间排列有支撑块，所述螺孔之间的孔间距与所述支撑块的高度相对应，使所述支撑块卡于每一层感应线圈之间。

本实用新型的有益效果是：本实用新型通过配备高度不同的支撑块和更换孔间距不同的绝缘支架，在一定量范围内可调节感应线圈匝间距，不用拆卸感应线圈水路部分就完成感应线圈间距调节，同时保证感应线圈匝间距偏差很小，通电后感应线圈内部利于产生均匀的磁场。

在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。

进一步，所述绝缘支架由聚四氟乙烯材料制成。

采用上述进一步方案的有益效果是聚四氟乙烯材料为应用高分子常用材料，耐高温，绝缘良好。同时，感应线圈外涂可凝固高分子材料，代表的为涂胶，来增强绝缘，防止线圈打火。

进一步，所述感应线圈的铜线横截面为矩形，所述支撑块为矩形支撑块。

采用上述进一步方案的有益效果是采用矩形的支撑块和铜线，可以更好的匹配，紧密的卡接在一起。

进一步，所述支撑块的高度为3～15毫米。

采用上述进一步方案的有益效果是通过不同规格的支撑块，使支撑块高度可变，同时更换绝缘支架，使绝缘支架孔间距也相应改变，从而调节感应线圈匝间距，影响感应线圈的磁场分布。

附图说明

图1为本实用新型俯视结构示意图；

图2为本实用新型正视结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。

如图1和图2所示，一种碳化硅晶体生长用感应线圈绝缘支架，所述感应线圈1由铜线螺旋盘绕而成，所述绝缘支架2上设有竖直排列的螺孔4，所述螺孔4通过螺钉与每一层感应线圈1固定连接在一起，所述每一层感应线圈1之间设有支撑块3，所述螺孔4之间的孔间距与所述支撑块1的高度相对应，使所述支撑块3卡于每一层感应线圈1之间。通过配备高度不同的支撑块3和更换孔间距不同的绝缘支架2，在一定量范围内可调节感应线圈1匝间距，不用拆卸感应线圈1水路部分就完成感应线圈1间距调节，同时保证感应线圈1匝间距偏差很小，通电后感应线圈1内部利于产生均匀的磁场。

所述绝缘支架2由聚四氟乙烯材料制成，聚四氟乙烯材料为应用高分子常用材料，耐高温，绝缘良好。同时，感应线圈1外涂可凝固高分子材料，代表的为涂胶，来增强绝缘，防止线圈打火。

所述感应线圈1的铜线横截面为矩形，所述支撑块3为矩形支撑块。采用矩形的支撑块3和铜线，可以更好的匹配，紧密的卡接在一起。

所述支撑块3的高度为3～15毫米。通过不同规格的支撑块3，使支撑块3高度可变，同时更换绝缘支架2，使绝缘支架2孔间距也相应改变，从而调节感应线圈1匝间距，影响感应线圈1的磁场分布。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。