[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，该方法包括：

-在半导体衬底中形成延伸至上面的多个半导体台面使得相邻半导体台面彼此通过基本上为空的沟槽和基本上被相对于半导体台面为可选择性刻蚀的牺牲层填充的沟槽之一间隔开；

-形成机械地连接半导体台面的支撑结构；以及

-从所述上面处理半导体衬底而半导体台面通过该支撑结构被机械地连接。

2.权利要求1所述的方法，其中形成多个半导体台面和形成支撑结构包括普通刻蚀工艺。

3.权利要求1所述的方法，其中形成多个半导体台面包括下述中的至少一个：

-提供包括延伸至所述上面的半导体层的半导体衬底；

-从所述上面刻蚀沟槽以形成多个半导体台面，所述多个半导体台面在基本上与所述上面正交的垂直截面中通过沟槽彼此间隔开；

-从所述上面刻蚀宽沟槽到半导体层中使得形成第一半导体台面，所述第一半导体台面在基本上与所述上面正交的垂直截面中通过宽沟槽彼此分离；

-在宽沟槽的侧壁处形成牺牲层；

-执行选择性外延生长工艺以在宽沟槽中形成第二半导体台面；以及

-从所述上面刻蚀宽沟槽到半导体层中以形成通过宽沟槽彼此分离的第一半导体台面以及形成连接相邻第一半导体台面对的半导体部分。

4.权利要求1所述的方法，进一步包括下述中的至少一个：

-用电介质层至少部分地代替牺牲层；

-用固体材料至少部分地填充沟槽；以及

-部分地去除该支撑结构。

5.权利要求1所述的方法，其中处理半导体衬底包括下述中的至少一个：至少部分地去除牺牲层以使至少部分沟槽、沟槽的侧壁和/或沟槽的底壁凹进，向沟槽的侧壁和/或底壁中进行注入，至少漂洗沟槽的所述部分以及至少干燥沟槽的所述部分。

6.权利要求1所述的方法，其中给半导体衬底提供在垂直截面中具有至少约20的深宽比的半导体台面。

7.权利要求1所述的方法，其中支撑结构包括多晶硅、碳或类金刚石碳、和/或其中支撑结构由一种材料制成。

8.权利要求1所述的方法，其中多个半导体台面和/或半导体衬底包括第一单晶半导体材料；且其中牺牲层包括电介质材料、碳、类金刚石碳、抗蚀剂、多晶硅半导体材料、非晶半导体材料和/或不同于第一单晶半导体材料的第二单晶半导体材料。

9.一种形成半导体器件的方法，该方法包括：

-提供具有上面和在基本上与所述上面正交的垂直截面中包含第一单晶材料的多个半导体台面的半导体衬底，所述多个半导体台面通过牺牲层彼此间隔开，所述牺牲层相对于第一单晶半导体材料是可选择性刻蚀的并布置在从所述上面延伸至半导体衬底中的沟槽中；

-在半导体台面上形成机械地连接半导体台面的支撑结构；

-至少部分地取代牺牲层而半导体台面仍然通过该支撑结构被机械地连接；以及

-至少部分地去除支撑结构。

10.权利要求9的方法，其中至少部分地取代牺牲层包括下述中的至少一个：相对于半导体台面选择性刻蚀牺牲层以暴露半导体台面的侧壁，以及热氧化侧壁；和/或其中支撑结构基本上形成在半导体台面上方。

11.权利要求9的方法，其中牺牲层包括电介质材料、碳、类金刚石碳、多晶硅半导体材料、非晶半导体材料和/或不同于第一单晶半导体材料的第二单晶半导体材料。

12.一种形成半导体器件的方法，该方法包括：

-提供包括上面和由半导体材料构成并延伸至该上面的半导体层的半导体衬底；

-从该上面刻蚀宽沟槽到半导体层中使得形成第一半导体台面，所述第一半导体台面通过宽沟槽彼此分离并被由半导体材料构成的半导体部分连接；

-至少在第一半导体台面的侧壁处形成电介质层；以及

-执行选择性外延生长工艺以填充具有第二半导体台面的宽沟槽中的至少一个。

13.权利要求12的方法，其中形成电介质层包括氧化第一半导体台面的侧壁和/或至少部分地氧化半导体部分。

14.权利要求12的方法，其中形成电介质层使得当从上方观看时它们基本上为环形的。