[发明专利]太阳能电池与其形成方法及n型ZnS层的形成方法有效
申请号: | 201310745979.0 | 申请日: | 2013-12-26 |
公开(公告)号: | CN104716218A | 公开(公告)日: | 2015-06-17 |
发明(设计)人: | 徐为哲;张仕政 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L31/0749 | 分类号: | H01L31/0749;H01L31/0296;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 曹玲柱 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 与其 形成 方法 zns | ||
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:
一基板;
一电极层,位于该基板上;
一p型吸光层,位于该电极层上;
一n型ZnS层,位于该p型吸光层上;以及
一透明电极层,位于该n型ZnS层上。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,还包括:
一指状电极,位于该透明电极层上。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中该电极层包括钼、铜、银、金、或铂。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中该p型吸光层包括铜铟镓硒、铜铟镓硒硫、铜镓硒、铜镓硒硫、或铜铟硒。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中该透明电极层包括铝锌氧化物、钢锡氧化物、或锡锑氧化物。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中该n型ZnS层的厚度介于5nm至100nm之间。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,还包括一CdS层位于该n型ZnS层与该透明电极层之间。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池,其中该CdS层的厚度介于5nm至100nm之间。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中该n型ZnS层是双层结构,其中一层的形成方法是将该基板浸置于锌盐、螯合剂、以及硫代乙酰胺的酸性溶液中,且另一层的形成方法是将该基板浸置于锌盐、硫脲、以及氨水的碱性溶液中。
10.一种n型ZnS层的形成方法,其特征在于,包括:
将一基板浸置于锌盐、螯合剂、以及硫代乙酰胺的酸性溶液中,以形成一n型ZnS层于该基板上。
11.根据权利要求10所述的n型ZnS层的形成方法,其中该锌盐包括硫酸锌、醋酸锌、氯化锌、或硝酸锌,且该酸性溶液中的锌盐浓度介于0.001M至1M之间。
12.根据权利要求10所述的n型ZnS层的形成方法,其中该螯合剂包括酒石酸、琥珀酸、或上述的组合,且该酸性溶液中的螯合剂浓度介于0.001M至1M之间。
13.根据权利要求10所述的n型ZnS层的形成方法,其中该酸性溶液中的硫代乙酰胺浓度介于0.001M至1M之间。
14.根据权利要求10所述的n型ZnS层的形成方法,其中该n型ZnS层的厚度介于5nm至100nm之间。
15.根据权利要求10所述的n型ZnS层的形成方法,其特征在于,还包括在形成该n型ZnS层于该基板上之前或之后,将该基板浸置于锌盐、硫脲、以及氨水的碱性溶液中,以形成另一n型ZnS层于该基板上。
16.一种太阳能电池的形成方法,其特征在于,包括:
提供一基板;
形成一电极层于该基板上;
形成一p型吸光层于该电极层上;
形成一n型ZnS层于该p型吸光层上,包括:
将该基板浸置于锌盐、螯合剂、以及硫代乙酰胺的酸性溶液中;以及
形成一透明电极层于该n型ZnS层上。
17.根据权利要求16所述的太阳能电池的形成方法,其特征在于,还包括形成一指状电极于该透明电极层上。
18.根据权利要求16所述的太阳能电池的形成方法,其特征在于,还包括形成一CdS层于该n型ZnS层与该透明电极层之间。
19.根据权利要求16所述的太阳能电池的形成方法,其特征在于,还包括在形成该n型ZnS层于该p型吸光层上的步骤之前或之后,将该基板浸置于锌盐、硫脲、以及氨水的碱性溶液中,以形成另一n型ZnS层于该基板上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的