[发明专利]基于四苯基乙烯的化合物和含有该化合物的OLED器件在审

专利信息
申请号: 201310743948.1 申请日: 2013-12-30
公开(公告)号: CN104064689A 公开(公告)日: 2014-09-24
发明(设计)人: J.J.阎;X.任 申请(专利权)人: 陶氏环球技术有限责任公司
主分类号: H01L51/54 分类号: H01L51/54;H01L51/52
代理公司: 北京市嘉元知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11484 代理人: 刘彬
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 基于 苯基 乙烯 化合物 含有 oled 器件
【说明书】:

相关申请的参考

本公开要求2012年12月31日提交的PCT/CN2012/088034的优先权,将其全部内容通过参考并入本申请。

背景技术

OLED(有机发光二极管)是一种发光二极管(LED),其中电致发光层是有机化合物膜,其响应电流而发光。典型的OLED具有多层结构,并且通常包括铟锡氧化物(ITO)阳极,和金属阴极。夹在ITO阳极和金属阴极之间的是几个有机层,例如空穴注入层(HIL),空穴传输层(HTL),发光材料层(EML),电子传输层(ETL),和电子注入层(EIL)。为了便于空穴注入,和获得光滑的表面,位于ITO阳极和空穴传输层之间的空穴注入层(HIL)常常是期望的。最通常使用的HIL材料是聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)络合物(PEDOT/PSS)。但是,从PEDOT/PSS制备的OLED由于腐蚀而显示出短的寿命,所述的腐蚀是由PEDOT/PSS的高酸度诱导的。此外,该PEDOT/PSS溶液常常是基于水的。当将它用于OLED中时,在该膜中痕量的湿气残余物可能导致电路的腐蚀并导致器件腐烂。因此,持续需要用于OLED应用的HIL材料,尤其是非水性HIL组合物。

常规的多层OLED器件通过热沉积方法产生。但是,热沉积有缺点。热沉积需要在高真空下的热蒸镀,其增加制造的复杂度和使得非常低效率地使用昂贵的OLED材料(典型地小于20%)。此外,使用蒸镀掩膜(evaporation masks)的像素化(pixilation)限制了OLED器件的规模和分辨率。

溶液方法,如喷墨打印和喷嘴打印,正在成为OLED器件的热沉积生产技术的一种可行的替代方案。遗憾的是,常规的OLED材料,例如N,N'-二-[(1-萘基)-N,N'-二苯基]-1,1'-联苯)-4,4'-二胺(NPB)和4,4',4'-三[2-萘基(苯基)氨基]三苯基胺(2-TNATA)由于在旋转流延(spin-casting)后差的膜形态和结晶而不适合于该溶液方法。

因此需要能够用于生产OLED器件的溶液方法中的OLED材料。还需要能够用于生产OLED器件的热沉积和溶液方法二者中的OLED材料。

发明内容

本公开提供一种组合物,其包括具有表2实施例1-25的任一项的结构的四苯基乙烯(tetraphenylene ethylene)(TPE)。

在一种实施方式中,本公开提供一种组合物,所述组合物包括结构(I)的四苯基乙烯,结构(IA)的四苯基乙烯,或其组合,如下所示。

对于每个结构(I)和(IA),R1,R2,R3,和R4为相同或不同。R1,R2,R3,和R4各自独立地选自氢,烃,取代的烃,及其组合;或者

R1和R2各自独立地选自氢,烃,取代的烃,及其组合;并且R3和R4形成环结构;或者

R3和R4各自独立地选自氢,烃,取代的烃,及其组合;并且R1和R2形成环结构;或者

R1和R2形成环结构,并且R3和R4形成环结构。

本公开也提供由包括结构(I)的四苯基乙烯、结构(IA)的四苯基乙烯、或其组合的本发明组合物形成的膜。

本公开也提供一种电子器件,所述电子器件包括至少一个组件,所述组件由包括结构(I)的四苯基乙烯、结构(IA)的四苯基乙烯、或其组合的本发明组合物形成。

本发明组合物的优点是其可用于热蒸镀和溶液方法二者。

本发明包括:

1.一种组合物,其包括:

结构(I)的四苯基乙烯,结构(IA)的四苯基乙烯,或其组合:

其中对于每个结构(I)和(IA),R1,R2,R3,和R4为相同或不同,和

其中R1,R2,R3,和R4各自独立地选自氢,烃基,取代的烃基,及其组合;或者

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陶氏环球技术有限责任公司,未经陶氏环球技术有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310743948.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top