[发明专利]基于四苯基乙烯的化合物和含有该化合物的OLED器件在审

专利信息
申请号: 201310743948.1 申请日: 2013-12-30
公开(公告)号: CN104064689A 公开(公告)日: 2014-09-24
发明(设计)人: J.J.阎;X.任 申请(专利权)人: 陶氏环球技术有限责任公司
主分类号: H01L51/54 分类号: H01L51/54;H01L51/52
代理公司: 北京市嘉元知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11484 代理人: 刘彬
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 基于 苯基 乙烯 化合物 含有 oled 器件
【权利要求书】:

1.一种组合物,其包括:

结构(I)的四苯基乙烯,结构(IA)的四苯基乙烯,或其组合:

其中对于每个结构(I)和(IA),R1,R2,R3,和R4为相同或不同,和

其中R1,R2,R3,和R4各自独立地选自氢,烃基,取代的烃基,及其组合;或者

其中R1和R2各自独立地选自氢,烃基,取代的烃基,及其组合;并且R3和R4形成环结构;或者

其中R3和R4各自独立地选自氢,烃基,取代的烃基,及其组合;并且R1和R2形成环结构;或者

其中R1和R2形成环结构,并且R3和R4形成环结构。

2.权利要求1的组合物,其包括选自以下的结构(I)的异构体:Z-异构体,E-异构体,及其组合。

3.权利要求1的组合物,其中R1至R4各自包括至少一个芳基。

4.权利要求1的组合物,其中R1至R4各自为苯基。

5.权利要求1的组合物,其中结构(I)的四苯基乙烯,结构(IA)的四苯基乙烯,或其组合的计算HOMO能级为-4.3eV至-4.6eV。

6.权利要求1的组合物,其中结构(I)的四苯基乙烯的分子量为700g/mol至1300g/mol。

7.权利要求1的组合物,还包括芳族溶剂。

8.权利要求7的组合物,其中所述芳族溶剂选自二甲苯,甲苯,苯,苯甲醚及其组合。

9.一种膜,其包括至少两层,即层A和层B,和其中层A由权利要求1的组合物形成。

10.权利要求9的膜,其中层A是空穴注入层。

11.权利要求10的膜,其中所述组合物的计算HOMO能级为-4.3eV至-4.6eV.

12.权利要求9的膜,其中层B是空穴传输层。

13.一种电子器件,其包括至少一个由权利要求1的组合物形成的组件。

14.权利要求13的电子器件,还包括第一电极。

15.权利要求13-14中任一项的电子器件,还包括置于所述第一电极上的第二电极。

16.权利要求13的电子器件,其中所述组件包括所述组合物作为有机层,所述有机层置于第一电极和第二电极之间。

17.权利要求13的电子器件,其中所述组件是含有所述组合物的空穴注入层。

18.权利要求17的电子器件,其中所述组合物的计算HOMO能级为-4.3eV至-4.6eV。

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