[发明专利]基于四苯基乙烯的化合物和含有该化合物的OLED器件在审
| 申请号: | 201310743948.1 | 申请日: | 2013-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN104064689A | 公开(公告)日: | 2014-09-24 |
| 发明(设计)人: | J.J.阎;X.任 | 申请(专利权)人: | 陶氏环球技术有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京市嘉元知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11484 | 代理人: | 刘彬 |
| 地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 苯基 乙烯 化合物 含有 oled 器件 | ||
1.一种组合物,其包括:
结构(I)的四苯基乙烯,结构(IA)的四苯基乙烯,或其组合:
其中对于每个结构(I)和(IA),R1,R2,R3,和R4为相同或不同,和
其中R1,R2,R3,和R4各自独立地选自氢,烃基,取代的烃基,及其组合;或者
其中R1和R2各自独立地选自氢,烃基,取代的烃基,及其组合;并且R3和R4形成环结构;或者
其中R3和R4各自独立地选自氢,烃基,取代的烃基,及其组合;并且R1和R2形成环结构;或者
其中R1和R2形成环结构,并且R3和R4形成环结构。
2.权利要求1的组合物,其包括选自以下的结构(I)的异构体:Z-异构体,E-异构体,及其组合。
3.权利要求1的组合物,其中R1至R4各自包括至少一个芳基。
4.权利要求1的组合物,其中R1至R4各自为苯基。
5.权利要求1的组合物,其中结构(I)的四苯基乙烯,结构(IA)的四苯基乙烯,或其组合的计算HOMO能级为-4.3eV至-4.6eV。
6.权利要求1的组合物,其中结构(I)的四苯基乙烯的分子量为700g/mol至1300g/mol。
7.权利要求1的组合物,还包括芳族溶剂。
8.权利要求7的组合物,其中所述芳族溶剂选自二甲苯,甲苯,苯,苯甲醚及其组合。
9.一种膜,其包括至少两层,即层A和层B,和其中层A由权利要求1的组合物形成。
10.权利要求9的膜,其中层A是空穴注入层。
11.权利要求10的膜,其中所述组合物的计算HOMO能级为-4.3eV至-4.6eV.
12.权利要求9的膜,其中层B是空穴传输层。
13.一种电子器件,其包括至少一个由权利要求1的组合物形成的组件。
14.权利要求13的电子器件,还包括第一电极。
15.权利要求13-14中任一项的电子器件,还包括置于所述第一电极上的第二电极。
16.权利要求13的电子器件,其中所述组件包括所述组合物作为有机层,所述有机层置于第一电极和第二电极之间。
17.权利要求13的电子器件,其中所述组件是含有所述组合物的空穴注入层。
18.权利要求17的电子器件,其中所述组合物的计算HOMO能级为-4.3eV至-4.6eV。
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