[发明专利]一种非易失性存储器的编程方法

说明书

本发明公开了一种非易失性存储器的编程方法，包括：对非易失性存储器的预编程区域的编程指令进行译码；判断编程指令是否发生在对非易失性存储器的暂停擦除操作的过程中，如果没有发生在暂停擦除操作的过程中，则对预编程区域进行编程校验和编程操作，否则，判断预编程区域的地址与擦除操作对应的擦除区域的地址是否在同一个物理存储块；如果是，则对擦除区域进行过擦除校验和过擦除修复操作；如果不是或者对擦除区域的过擦除修复操作结束后，则对预编程区域进行编程校验和编程操作。本发明能够消除由于过擦除产生的漏电流对编程过程的影响，从而保证了编程过程的正确性和稳定性。

技术领域

本发明涉及非易失性存储器技术领域，具体涉及一种非易失性存储器的编程方法。

背景技术

非易失性存储器，又称为非挥发性存储器，简单地说，就是在断电情况下能够保持所存储的数据的存储器。随着非易失性存储器的相关技术的发展，非易失性存储器的应用越来越广泛。

非易失性存储器在擦除操作的过程中用户可以发送暂停指令来暂停擦除操作，去执行其它的指令，如编程指令和读指令等。待其它的指令执行完毕后，发送恢复指令来恢复擦除操作。由于在擦除操作过程中的暂停指令，擦除操作没有正常结束，可能会产生过擦除。过擦除会对擦除区域所在的物理存储块（BLOCK）提供漏电流。如果暂停擦除操作的过程中执行编程指令，并且编程操作的地址与擦除操作的地址处于同一个物理存储块，由于同一个物理存储块的单元的位线是贯通的，过擦除产生的漏电流会对编程过程产生影响，导致编程不成功或者发生编程错误。

现有技术中，在暂停擦除操作的过程中对非易失性存储器执行编程指令，直接进行编程校验和编程操作，这样很可能会由于过擦除产生的漏电流导致编程不成功或编程错误，从而影响编程过程的正确性和稳定性。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种非易失性存储器的编程方法，解决了现有技术中由于过擦除产生的漏电流导致编程不成功或编程错误而影响编程过程的正确性和稳定性的技术问题。

本发明实施例提供了一种非易失性存储器的编程方法，包括：

对所述非易失性存储器的预编程区域的编程指令进行译码；

判断所述编程指令是否发生在暂停擦除操作的过程中，如果没有发生在所述暂停擦除操作的过程中，则对所述预编程区域进行编程校验和编程操作；

如果发生在所述暂停擦除操作的过程中，则判断所述预编程区域的地址与所述擦除操作对应的擦除区域的地址是否在同一个物理存储块；

如果是在所述同一个物理存储块，则对所述擦除区域进行过擦除校验和过擦除修复操作；

如果不是在所述同一个物理存储块或者对所述擦除区域的过擦除修复操作结束后，则对所述预编程区域进行编程校验和编程操作。

进一步地，对所述擦除区域进行过擦除校验和过擦除修复操作，具体为：

对所述擦除区域的修复单元进行过擦除校验并判断是否通过所述过擦除校验，如果没有通过所述过擦除校验，则对所述修复单元进行过擦除修复操作并返回到对所述擦除区域的修复单元进行过擦除校验并判断是否通过所述过擦除校验；

如果通过所述过擦除校验，则判断所述修复单元对应的修复地址是否是所述擦除区域的最后一个修复地址；

如果是所述最后一个修复地址，则结束对所述擦除区域的过擦除修复操作；

如果不是所述最后一个修复地址，则递增或者递减所述修复单元对应的修复地址并返回到对所述擦除区域的修复单元进行过擦除校验并判断是否通过所述过擦除校验。

进一步地，所述过擦除校验的基准电压为0伏。

进一步地，所述过擦除校验的方法为将所述擦除区域的修复单元的阈值电压与所述过擦除校验的基准电压进行比较；