[发明专利]一种非易失性存储器的编程方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器的编程方法，其特征在于，包括：

对所述非易失性存储器的预编程区域的编程指令进行译码；

判断所述编程指令是否发生在暂停擦除操作的过程中，如果没有发生在所述暂停擦除操作的过程中，则对所述预编程区域进行编程校验和编程操作，其中，所述编程校验的方法为将所述预编程区域的预编程单元的阈值电压与所述编程校验的基准电压进行比较；

如果发生在所述暂停擦除操作的过程中，则判断所述预编程区域的地址与所述擦除操作对应的擦除区域的地址是否在同一个物理存储块；

如果是在所述同一个物理存储块，则对所述擦除区域进行过擦除校验和过擦除修复操作，其中，所述过擦除校验的方法为将所述擦除区域的修复单元的阈值电压与所述过擦除校验的基准电压进行比较，所述过擦除修复操作是将所述擦除区域的修复单元中的过擦除单元变成正常的擦除单元的操作；

如果不是在所述同一个物理存储块或者对所述擦除区域的过擦除修复操作结束后，则对所述预编程区域进行编程校验和编程操作。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器的编程方法，其特征在于，对所述擦除区域进行过擦除校验和过擦除修复操作，具体为：

对所述擦除区域的修复单元进行过擦除校验并判断是否通过所述过擦除校验，如果没有通过所述过擦除校验，则对所述修复单元进行过擦除修复操作并返回到对所述擦除区域的修复单元进行过擦除校验并判断是否通过所述过擦除校验；

如果通过所述过擦除校验，则判断所述修复单元对应的修复地址是否是所述擦除区域的最后一个修复地址；

如果是所述最后一个修复地址，则结束对所述擦除区域的过擦除修复操作；

如果不是所述最后一个修复地址，则递增或者递减所述修复单元对应的修复地址并返回到对所述擦除区域的修复单元进行过擦除校验并判断是否通过所述过擦除校验。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器的编程方法，其特征在于，所述过擦除校验的基准电压为0伏。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器的编程方法，其特征在于，所述过擦除校验的方法为将所述擦除区域的修复单元的阈值电压与所述过擦除校验的基准电压进行比较；

当所述擦除区域的修复单元的阈值电压大于所述过擦除校验的基准电压时，所述修复单元通过所述过擦除校验；

当所述擦除区域的修复单元的阈值电压小于所述过擦除校验的基准电压时，所述修复单元没有通过所述过擦除校验。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器的编程方法，其特征在于，对所述预编程区域进行编程校验和编程操作，具体为：

对所述预编程区域的预编程单元进行编程校验并判断是否通过所述编程校验，如果没有通过所述编程校验，则对所述预编程单元进行编程操作并返回到对所述预编程区域的预编程单元进行编程校验并判断是否通过所述编程校验；

如果通过所述编程校验，则判断所述预编程单元对应的编程地址是否是所述预编程区域的最后一个编程地址；

如果是所述最后一个编程地址，则结束对所述预编程区域的编程操作；

如果不是所述最后一个编程地址，则递增或者递减所述预编程单元对应的编程地址并返回到对所述预编程区域的预编程单元进行编程校验并判断是否通过所述编程校验。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器的编程方法，其特征在于，所述编程校验的基准电压为编程单元的阈值电压。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器的编程方法，其特征在于，所述编程校验的方法为将所述预编程区域的预编程单元的阈值电压与所述编程校验的基准电压进行比较；

当所述预编程区域的预编程单元的阈值电压大于所述编程校验的基准电压时，所述预编程单元通过所述编程校验；

当所述预编程区域的预编程单元的阈值电压小于所述编程校验的基准电压时，所述预编程单元没有通过所述编程校验。