[发明专利]液晶显示装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示装置及其制造方法，具体地，涉及一种具有TFT上滤色器（COT）结构的液晶显示装置及其制造方法，在COT结构中，滤色器与薄膜晶体管一起形成在阵列基板上。

背景技术

一般来讲，液晶显示装置是这样一种显示装置，其中向以矩阵形式布置的像素单独地提供根据像素信息的数据信号以调节像素透光率，从而显示期望的图像。

因此，液晶显示装置可包括其中像素以矩阵形式布置的液晶板和配置为驱动像素的驱动单元。

液晶显示板可包括彼此相接的薄膜晶体管阵列基板和滤色器基板以在彼此面对时保持相同的单元间隙，以及形成在阵列基板和滤色器基板之间的单元间隙内的液晶层。

这里，公共电极和像素电极形成在其中阵列基板和滤色器基板彼此连接的液晶板上以向液晶层施加电场。

因此，如果在向公共电极施加电压的状态下对施加到像素电极上的数据信号的电压进行控制，那么由于介电各向异性，液晶层中的液晶根据公共电极和像素电极之间的电场而发生旋转以对于每个像素来说允许光透过或被阻挡，从而显示文本或图像。

图1是示例性示出典型的液晶显示装置的截面结构的图，其中，为了便于解释，将数据线区的截面结构的一部分作为示例示出。

参见图1，典型液晶显示装置可被配置为具有形成在两片玻璃基板5和10之间的液晶层（未示出），同时对于玻璃基板通过柱状间隔体40保持单元间隙。

在下玻璃基板10上形成以垂直和水平方向布置以限定像素区的选通线（未示出）和数据线17，并且在选通线和数据线17之间的交叉区域形成有作为开关元件的薄膜晶体管。

这里，虽然图中未示出，但是多个像素电极和公共电极可交替地形成在像素区内。

此外，薄膜晶体管可包括与选通线连接的栅极、与数据线连接的源极和与像素电极连接的漏极。另外，薄膜晶体管可包括用于在构成元件之间绝缘的多个绝缘层15a、15b和15c，以及被配置为通过施加到栅极的栅电压在源极与漏极之间形成导电沟道的有源图案。

在上玻璃基板5上形成有滤色器阵列，并且滤色器阵列包括黑底6、滤色器7和涂覆层9。

发明内容

一种液晶显示装置，该液晶显示装置包括：位于第一基板上的选通线和数据线，它们彼此交叉以限定像素区；位于所述选通线与所述数据线之间的交叉区域处的薄膜晶体管；位于所述第一基板的所述像素区内的滤色器；位于形成有所述滤色器的所述第一基板的所述像素区内的多个公共电极和像素电极；位于所述像素区的边界处起到黑底的作用的遮光图案；以及与所述第一基板面对地附接的第二基板；其中，所述公共电极、所述像素电极和所述遮光图案具有上层和下层的双层结构，所述上层具有低反射率特性，所述下层具有低透射率和高电导率特性。

这里，所述上层可由低反射率和低透射率材料形成。

所述下层可由低透射率和低电阻率材料形成。

所述上层可由陶瓷、金属氧化物或半导体材料中的一种形成。

所述下层可由铜、铝、镍、钛、钼及其合金中的一种形成。

此外，一种制造液晶显示装置的方法，该方法包括以下步骤：在第一基板上形成彼此交叉的选通线和数据线以限定像素区；在所述选通线和所述数据线之间的交叉区形成薄膜晶体管；在所述第一基板的所述像素区内形成滤色器；在形成有所述滤色器的所述第一基板的所述像素区内形成多个公共电极和像素电极；在所述像素区的边界处形成遮光图案以起到黑底的作用；以及将第二基板与所述第一基板附接，

其中，所述公共电极、所述像素电极和所述遮光图案被形成为上层和下层的双层结构，所述上层具有低反射率特性，所述下层具有低透射率和高电导率特性。

这里，上述方法还可包括在与所述选通线平行的方向上、与所述选通线的上侧或下侧相邻的位置形成公共线。

这里，所述遮光图案可包括：被形成为在所述数据线的上部覆盖所述数据线的第一遮光图案；以及在所述像素区的垂直边界处以平行于所述选通线的方向分别形成在所述选通线和所述公共线的上部的第二遮光图案和第三遮光图案。

这里，形成在所述多个公共电极和所述数据线的上部的所述第一遮光图案的一端可以与平行于所述选通线的所述第二遮光图案相连接，并且所述第二遮光图案可以在其下部与所述选通线的一部分相交叠。

所述多个像素电极的一端可以与平行于所述选通线的所述第三遮光图案相连接，并且所述第三遮光图案可以在其下部与所述公共线的一部分相交叠。

所述上层可由低反射率和低透射率材料形成，例如，陶瓷、金属氧化物或半导体材料。