[发明专利]一种防指纹薄膜的制备方法及防指纹薄膜有效
申请号: | 201310725988.3 | 申请日: | 2013-12-25 |
公开(公告)号: | CN104746022B | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
发明(设计)人: | 孙永亮;周维;赵严帅 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/06 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 王崇 |
地址: | 518118 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 指纹 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种防指纹薄膜的制备方法,采用直流磁控溅射在基材表面形成一层防指纹薄膜;其特征在于,所述直流磁控溅射采用的靶材为导电性靶材;所述导电性靶材中含有聚四氟乙烯,还含有金属和/或半导体,其中所述金属选自Mg、Al、Cu、Ti中的至少一种,所述半导体选自GaAs、GaN、氧化铟锡、氧化锌铝中的至少一种;当所述导电性靶材含有所述金属时,所述金属占导电性靶材总质量的0.1-1wt%。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述导电性靶材中含有半导体,且所述半导体占导电性靶材总质量的1-10wt%。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,制备所述导电性靶材的方法为:将金属和/或半导体颗粒与聚四氟乙烯颗粒混合均匀,拌油熟化后装胚出胚,经烧结并车削成型,得到所述靶材。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述直流磁控溅射在保护气氛中进行,所述保护气氛采用的气体为N2或惰性气体。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述保护气氛的体积流量为200-500sccm。
6.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述直流磁控溅射的方法为:将真空室抽真空至5.0×10-3Pa以下,充入保护气氛,直至气压为0.3-2Pa,然后启动电源,调整偏压为50-500V,占空比为15%-90%,溅射5-25min。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述电源为恒功率电源,溅射功率为300-3000W。
8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在进行所述直流磁控溅射之前,还包括对基材进行超声波清洗和离子轰击处理的步骤。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述离子轰击处理为氩离子轰击处理,步骤为:将真空室抽真空至1.0×10-2-8.0×10-2Pa,充入氩气,至气压为0.1-5Pa,然后在偏压为200-1000V、占空比为20-70%的条件下轰击5-20min。
10.一种防指纹薄膜,其特征在于:所述防指纹薄膜由权利要求1-9任一项所述的制备方法制备得到。
11.根据权利要求10所述的防指纹薄膜,其特征在于,在基材表面形成的防指纹薄膜的厚度为10-30nm。
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