[发明专利]一种互补型薄膜晶体管驱动背板及其制备方法、显示装置有效
| 申请号： | 201310723714.0 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103681515A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 刘晓娣;王刚 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/027;H01L27/12;H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李迪 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 互补 薄膜晶体管 驱动 背板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种互补型薄膜晶体管驱动背板的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
S1、在衬底基板上形成下层电极；
S2、依次设置连续生长介质层、半导体层和扩散保护层；
S3、通过多灰阶光罩曝光工序形成无光刻胶区、N型薄膜晶体管制备区和P型薄膜晶体管制备区；
S4、通过等离子体灰化工序去除N型薄膜晶体管制备区的光刻胶层；
S5、去除N型薄膜晶体管制备区的扩散保护层；
S6、去除P型薄膜晶体管制备区的光刻胶层；形成具有P型有源层的P型薄膜晶体管；
S7、对衬底基板进行氧化处理；形成具有N型有源层的N型薄膜晶体管；
S8、在衬底基板上设置钝化层；
S9、在钝化层上形成上层电极。
2.如权利要求1所述互补型薄膜晶体管驱动背板的制备方法，其特征在于：还包括对制备后的互补型薄膜晶体管驱动背板进行退火处理的步骤。
3.如权利要求2所述的互补型薄膜晶体管驱动背板的制备方法，其特征在于：所述半导体层材料为SnO材料。
4.如权利要求3所述的互补型薄膜晶体管驱动背板的制备方法，其特征在于：经氧化处理后的N型薄膜晶体管制备区内的半导体层，其材料由SnO被氧化成SnOx，其中1<x<2；被用作N型薄膜晶体管中的N型有源层；而在氧化处理过程中，由于有扩散保护层的保护，因此P型薄膜晶体管的P型有源层没有经受氧化处理。
5.如权利要求4所述的互补型薄膜晶体管驱动背板的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中所述半导体层采用溅射工艺、溶胶-凝胶工序、真空蒸镀工序、喷涂工序其中一种制得。
6.如权利要求5所述的互补型薄膜晶体管驱动背板的制备方法，其特征在于：在钝化层上通过溅射工艺设置上电极层，对上电极层进行图形化处理，形成多个上层电极。
7.一种如权利要求1-6其中之一所述制备方法制得的互补型薄膜晶体管驱动背板，其特征在于：有一个衬底基板，在该衬底基板上设置有多个P型薄膜晶体管制备区、多个N型薄膜晶体管制备区，以及设置在P型薄膜晶体管制备区与N型薄膜晶体管制备区之间的无光刻胶区。
8.一种显示装置，其特征在于：包括如权利要求7所述的互补型薄膜晶体管驱动背板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
