[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。现有的有机电致发光器件中，电子传输速率都要比空穴传输速率低两三个数量级，因此，极易造成激子复合几率的低下，并且，使其复合的区域不在发光区域，从而使发光效率降低。

发明内容

基于此，有必要提供一种发光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述空穴注入层形成于所述阳极导电基底的阳极层表面，所述电子注入层包括层叠于所述电子传输层表面的第一掺杂层及层叠于所述第一掺杂层表面的第二掺杂层，所述第一掺杂层的材料包括富勒烯衍生物、电子传输材料及镁的化合物，所述第二掺杂层的材料包括富勒烯衍生物及低功函数金属，所述富勒烯衍生物为足球烯、碳70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯或[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯，所述电子传输材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)-1,3,4-恶二唑、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲或2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]，所述镁的化合物为氟化镁、氧化镁或硫化镁，所述低功函数金属为功函数为-2.0eV～-3.5eV的金属。

在其中一个实施例中，所述第一掺杂层的厚度为20nm～50nm，所述第二掺杂层的厚度为20nm～80nm。

在其中一个实施例中，所述第一掺杂层中，所述富勒烯衍生物、所述电子传输材料及所述镁的化合物的质量比为5:1:1～20:10:1。

在其中一个实施例中，所述第二掺杂层中，所述富勒烯衍生物与所述低功函数金属的质量比为3:1～6:1。

在其中一个实施例中，所述低功函数金属为镁、锶、钙或镱。

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

在阳极导电基底的阳极层表面依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层及电子传输层；

在所述电子传输层的表面蒸镀制备电子注入层，所述电子注入层包括层叠于所述电子传输层表面的第一掺杂层及层叠于所述第一掺杂层表面的第二掺杂层，所述第一掺杂层的材料包括富勒烯衍生物、电子传输材料及镁的化合物，所述第二掺杂层的材料包括富勒烯衍生物及低功函数金属，所述富勒烯衍生物为足球烯、碳70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯或[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯，所述电子传输材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)-1,3,4-恶二唑、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲或2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]，所述镁的化合物为氟化镁、氧化镁或硫化镁，所述低功函数金属为功函数为-2.0eV～-3.5eV的金属；及

在所述第二掺杂层的表面蒸镀制备阴极。

在其中一个实施例中，所述第一掺杂层的厚度为20nm～50nm，所述第二掺杂层的厚度为20nm～80nm。

在其中一个实施例中，所述第一掺杂层中，所述富勒烯衍生物、所述电子传输材料及所述镁的化合物的质量比为5:1:1～20:10:1。

在其中一个实施例中，所述第二掺杂层中，所述富勒烯衍生物与所述低功函数金属的质量比为3:1～6:1。

在其中一个实施例中，所述低功函数金属为镁、锶、钙或镱。