[发明专利]一种基于双层膜多晶太阳能电池PECVD钝化镀膜的工艺有效
| 申请号： | 201310694330.0 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103643222B | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 张小明;彭国印;毛振乐;黄治国;王鹏 | 申请（专利权）人： | 上饶光电高科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/52 | 分类号： | C23C16/52;C23C16/34;H01L31/18 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所36100 | 代理人： | 杨志宇 |
| 地址： | 334100 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 双层 多晶 太阳能电池 pecvd 钝化 镀膜 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于双层膜多晶太阳能电池PECVD钝化镀膜的工艺，其特征为：采用PECVD镀膜设备，第一层膜采用的NH3与SiH4流量比为3.0:750，功率5650w，时间为160s；第二层膜采用的NH3与SiH4流量比为7.6:600，功率5650w，时间为500-620s。
2.一种基于双层膜多晶太阳能电池PECVD钝化镀膜的工艺，其特征为：采用PECVD镀膜设备，第一层膜采用的NH3与SiH4流量比为3.0:750，功率5650w，时间为160s；第二层膜采用的NH3与SiH4流量比为7.6:600，功率5650w，时间为560s。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
