[发明专利]一种散热发光二极管

说明书

技术领域

本发明涉及一种二极管，尤其涉及一种散热发光二极管。 

背景技术

随着环保、节能及减碳的世界风潮的逐渐盛行，LED因具有高发光效率而成为取代一般发光源的最重要选项之一。 

如图1所示，现有技术的LED结构1一般包括LED芯片10、蓝宝石基板20、银胶30、支架40、底座基板50、多个连接线60、封装胶70及散热铝基板80。LED芯片10在蓝宝石基板20上形成，利用银胶30将包含LED芯片10的蓝宝石基板20连结至支架40上，底座基板50承载支架40，且所述连接线60用以连接LED芯片10至支架40。支架40具延伸体结构，用以贯穿底座基板50而与底座基板50底下的散热铝基板80接触，藉以将LED芯片10所产生的热量以热传导方式传播至散热铝基板80，如热传导方向H所示。由于热传导效率取决于材料的热导系数以及传导面积，而现有技术中，为增加热传导的面积，必须加大LED结构1的尺寸，造成使用上受到限制。此外，散热铝基板80的表面积亦决定整体的散热效率，所以散热铝基板80一般具有很大的几何外观，增加整体LED结构1的重量，进而使得LED结构1非常笨重。 

因此，需要一种不需支架及散热铝基板且能高效率热辐射散热的发光二极管结构，以解决上述现有技术的问题。 

发明内容

本发明的技术问题是现有的发光二极管散热效率不高，且本身内部结构不合理，增加了二极管了重量。 

为解决上述问题，本发明所提供的技术方案是： 

一种散热发光二极管，其包括：蓝宝石基板，具有一上部表面及一下部表面；发光二极管芯片，形成于该蓝宝石基板的上部表面上，且包括至少依序堆栈的N型半导体层、半导体发光层、P型半导体层，其中该半导体发光层可在顺向偏压而导通时发射光线；第一热辐射散热薄膜，形成于该蓝宝石基板的下部表面上；底座基板；第二热辐射散热薄膜，形成于该底座基板上；纳米釉层，形成于该第二热辐射散热薄膜上；黏着导热层，位于该第一热辐射散热薄膜及该纳米釉层之间，用以连结该第一热辐射散热薄膜及该纳米釉层；电气连接线，用以分别电气连接至该LED磊晶层的N型半导体层及P型半导体层至外部电源的正电端及负电端；以及封装胶体，用以包覆该LED磊晶层；其中，所 述第一热辐射散热薄膜与所述蓝宝石基板的热膨胀系数的差额比不大于0.1％，且所述第二热辐射散热薄膜与所述底座基板的热膨胀系数的差额比不大于0.1％。 

优选地，所述第一及第二热辐射散热薄膜包含金属与非金属的组合物，且所述组合物包含银、铜、铝、铁及锑的至少其中之一，锡、钛、以及包含硼、碳的至少其中之一的氧化物或氮化物或无机酸机化物，且所述第一及第二热辐射散热薄膜具有结晶体的显微结构，所述第一及第二热辐射散热薄膜的结晶体的大小为数微米至数纳米之间。 

优选地，还包括一散热装置，连结至该底座基板，以增强散热能力。 

本发明的有益效果是本发明在蓝宝石基板上形成LED磊晶层；在底座基板上形成热辐射散热薄膜；以及利用黏着导热层结合将包含LED磊晶层的蓝宝石基板及包含热辐射散热薄膜的底座基板，以形成一体的二极管结构，从而增强了散热功能，降低了发光二极管的重量。 

附图说明

以下结合附图，对本发明进行详细的描述。 

图1为现有技术发光二极管结构的示意图。 

图2为依据本发明热辐射散热发光二极管结构的示意图。 

图3为依据本发明热辐射散热发光二极管结构的制作方法的处理流程图。 

附图的主要部分符号说明： 

200：控制部；202：存储部；204：温度检测部；206：电源部；208：电风扇；210：发热驱动部；212：发热部。 

具体实施方式

如图2所示，本发明的散热发光二极管结构100包括LED磊晶层110、蓝宝石基板120、黏着导热层130、热辐射散热薄膜140、底座基板150、至少一电气连接线(图中未显示)及封装胶体(图中未显示)。LED磊晶层110一般至少可包括依序堆栈的N型半导体层、半导体发光层、型半P导体层，比如N型半导体层可为N型GaN(氮化镓)层，半导体发光层可包含氮化镓或氮化铟镓，型半导体层可为P型GaN层，P其中P型GaN层及N型GaN层分别藉电气连接线而电气连接至外部电源(图中未显示)的正电端及负电端，藉以导通LED磊晶层110，亦即顺向偏压，而使得半导体发光层产生电子电洞对的复合作用以发射光线。