[发明专利]一种棒状单晶结构硼酸铜的制备方法

说明书

（一）技术领域

本发明涉及一种棒状单晶结构硼酸铜的制备方法，特别是用溶胶-凝胶法制备硼酸铜单晶。

（二）背景技术

进入21世纪，随着工业化程度的提高，环境污染问题日益严重，其中染料废水的处理尤为棘手。染料废水中通常含有一些高毒性难降解的有机污染物，由于其污染物浓度高、成分复杂、可生化性差，采用常规方法难以对其进行有效处理，因此对人类的健康和生物多样性造成了巨大的威胁。

光催化作为一种深度氧化法，已被公认为最具发展前景的污染物去除技术。但是经过30多年广泛深入地研究，光催化技术仍难以实现高效廉价地转化和利用太阳能。主要原因是人们开发的一系列宽带隙半导体光催化剂如NaTaO₃、TiO₂等，仅在紫外光范围有响应，而波长在400nm以下的紫外光部分不足太阳光总能量的5%，太阳光能量主要集中在400～700nm的可见光范围，达总能量的43%。因此研制可见光响应的催化剂是提高太阳能利用率，最终实现光催化技术产业化应用的关键。

Cu₃B₂O₆是一种具有中间能隙态的硼酸盐材料，作为一种本征p-TCOs，无需掺杂便具有导带和价带间的中间能隙，且不存在晶体缺陷，因此在可见光下就具有较强的光催化能力，是一种新型的可见光催化剂。然而目前关于硼酸铜的研究报道并不多，且大多集中在磁性研究上，关于其光催化降解染料的研究尚未见于报道。目前对硼酸铜的制备方法多用高温固相法，Petrakovskii等（Physics of the Solid State,Vol.41,610-612）以Li₂O-CuO-B₂O₃体系用固相烧结法制备单晶Cu₃B₂O₆，反应温度为1200℃。但由于存在能耗较高、所得产物局部组织不均匀、纯度较低等问题，因此在工业生产中并未得到广泛的应用。

（三）发明内容

本发明要解决的问题是：克服目前固相烧结法制备单晶Cu₃B₂O₆，反应温度为过高，不适用于工业生产的问题，创造性的使用溶胶-凝胶法代替高温固相法制备单晶结构的Cu₃B₂O₆，此法简单易行、设备简单、合成条件温和、具有工业化前途。并且，获得的棒状单晶结构硼酸铜具备光催化性能。

本发明对要解决的问题所采取的技术方案是：

一种棒状单晶结构硼酸铜的制备方法，所述方法为：

将水溶性铜盐、发泡剂按物质的量比1：0.1～6的比例混合，加水配成含铜的水溶液，在室温下搅拌1～4h（优选2～3h），再向溶液中滴加0.05～2.0mol/L硼酸或硼酸三丁酯溶液，使加入的硼酸或硼酸三丁酯溶液中硼的物质的量与溶液中铜的物质的量之比为0.6～2：1，在室温下搅拌1～4h（优选2～3h），然后在120～170℃温度下（优选140～150℃温度下）烘干，得到棕色的干凝胶；干凝胶在空气氛围下于550～1000℃（优选850～900℃）煅烧2～10h（优选6～10h），得到墨绿色的粉状物；所述粉状物用0.1～1.0mol/L盐酸或热的去离子水洗涤，离心，所得粉末在40～120℃（优选80～100℃）干燥，制得棒状单晶结构硼酸铜Cu₃B₂O₆。

所述水溶性铜盐优选为硝酸铜、醋酸铜或硫酸铜。

所述发泡剂优选为葡萄糖、蔗糖、苹果酸或酒石酸。

所述含铜的水溶液中，其中铜离子的浓度优选为0.05～0.15mol/L。

所述粉状物用0.1～1.0mol/L盐酸或热的去离子水洗涤，一般是用0.1～1.0mol/L盐酸或60～100℃的去离子水洗涤粉状物3～4次。

所述方法中，优选水溶性铜盐、发泡剂的物质的量之比为1：2～3，最优选1：2。

优选所述水溶性铜盐中的铜、硼酸或硼酸三丁酯溶液中的硼的物质的量之比优选为1：0.7～1.3，更优选1：1。