[发明专利]一种高屏蔽准平面传输线的制作方法无效

专利信息
申请号: 201310682647.2 申请日: 2013-12-12
公开(公告)号: CN103730712A 公开(公告)日: 2014-04-16
发明(设计)人: 马子腾;刘金现;阴磊;许延峰 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十一研究所
主分类号: H01P11/00 分类号: H01P11/00
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 龚燮英
地址: 266555 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 屏蔽 平面 传输线 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明属于平面传输线制作技术领域,尤其涉及的是一种高屏蔽准平面传输线的制作方法。

背景技术

在涉及到微波频率的各类传输线中,平面传输线因其开放式结构,便于在微波集成电路中集成,得以广泛的应用。经常使用的平面传输线有微带线、悬带线、槽线、共面波导以及背面接地的共面波导,如图1所示,图1中是最具有代表的微带线结构,中间是介质基片,底层是接地金属层,上层是金属导带,微波信号在上层金属导带中进行传播。其上层空间是开放的,信号会在传播中产生辐射。

平面传输线制作工艺简单、成本低,容易与其它器件集成,但其场结构都是半开放性质的,存在辐射效应,在微波模块中集成后,封装在一起的电路之间不可避免存在串扰,给电磁兼容工作及信号完整性带来挑战,随着集成度及信号工作频率的提高,该现象愈发严重。

波导、同轴线等传输线的场结构为闭合式的,虽然避免了辐射效应,但其制作成本高,难以与其它器件进行集成,使用场合受到了限制。

因此,现有技术存在缺陷,需要改进。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足,提供一种高屏蔽准平面传输线的制作方法。

本发明的技术方案如下:

一种高屏蔽准平面传输线的制作方法,其中,包括以下步骤:

步骤101、采用激光切割的方法加工介质基片,预先在金属接地层位置形成通孔;

步骤102、采用真空溅射的方法实现介质基片表面与通孔内的金属化膜层;

步骤103、采用光刻工艺形成共面波导图形,并电镀加厚,形成电镀层;

步骤104、采用光刻工艺在导带上方形成绝缘介质层;

步骤105、采用真空溅射的方法在介质层上方形成金属化膜层;

步骤106、采用光刻工艺在介质层上方形成金属连接层,并电镀加厚,形成电镀层;

步骤107、使用砂轮划切的方法分割成独立图形。

所述的制作方法,其中,所述步骤101中,所述介质基片的材料为纯度99.6%-100%的氧化铝基片或纯度98%的氮化铝基片或蓝宝石基片;所述介质基片的厚度为:0.1mm~1mm;所述介质基片的平面尺寸为50.8mm×50.8mm。

所述的制作方法,其中,所述介质基片的厚度为0.254mm。

所述的制作方法,其中,所述步骤101中,所述通孔为矩形;所述激光源波长为355nm或532nm或1064nm。

所述的制作方法,其中,所述步骤102和105中,所述金属化膜层结构为钛钨金结构,其中钛与钨质量比为1:9;

所述的制作方法,其中,所述步骤103和106中,所述光刻工艺的具体步骤依次为:在基片上涂胶、前烘、曝光、显影、后烘、刻蚀、去胶;所述涂胶时所使用的光刻胶为RZJ-390型正性光刻胶;所述涂胶的方法是旋转涂覆法或超声喷雾涂覆法。

所述的制作方法,其中,所述步骤103和106中,所述电镀采用的是直流电镀金,电流密度为1~10mA/cm2,电镀溶液的成分为质量分数8%-12%氰化亚金钾,余量为水;所述电镀层的厚度为1~10μm。

所述的制作方法,其中,所述步骤104中,所述绝缘介质层为聚酰亚胺;所述光刻工艺的具体步骤依次为:在基片上涂覆聚酰亚胺胶、前烘、曝光、显影、后烘;所述聚酰亚胺层厚度范围为1~10μm。

采用上述方案,基于薄膜光刻工艺制作,具有类同轴线结构,属于准平面传输线。它与波导、同轴线等传输线相比,制作工艺更为简单,更容易与普遍使用的微带线、共面波导等平面传输线相集成;与微带线、共面波导等平面传输线相比,更能够有效地避免信号串扰等平面传输线工作中所存在的问题。

附图说明

图1为现有技术中平面传输线的结构示意图。

图2为本发明平面传输线制作方法流程图。

图3为本发明实现步骤101的工艺图。

图4为本发明实现步骤102的工艺图。

图5为本发明实现步骤103的工艺图。

图6为本发明实现步骤104的工艺图。

图7为图6的正视图。

图8为本发明实现步骤105的工艺图。

图9为本发明实现步骤106的工艺图。

图10为本发明实现步骤107的工艺图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例,对本发明进行详细说明。

实施例1

如图2所示,本发明提供的一种高屏蔽准平面传输线的制作方法的流程,主要步骤包括:

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