[发明专利]触控感测显示装置及减少所述装置误报触控点的方法在审

专利信息
申请号: 201310680723.6 申请日: 2013-12-12
公开(公告)号: CN104714704A 公开(公告)日: 2015-06-17
发明(设计)人: 刘叡明;刘立林;张仲文;戴绅峰 申请(专利权)人: 奇景光电股份有限公司
主分类号: G06F3/044 分类号: G06F3/044;G02F1/1333
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 触控感测 显示装置 减少 装置 误报触控点 方法
【权利要求书】:

1.一种触控感测显示装置,其特征在于,包括:

多个行电极及多个列电极;

一电容值侦测器,侦测每一列电极对一参考接地的一第一电容变化值以及每一行电极对该参考接地的一第二电容变化值,以及侦测所述行电极及所述列电极的每一交叉处的一第三电容变化值;以及

一处理器,执行一第一操作,以根据该第一电容变化值、该第二电容变化值及该第三电容变化值,决定进入一弯曲模式;

在该第一操作中,该处理器计算所述第一电容变化值及所述第二电容变化值超过一第一临界值的一第一数量,计算所述第一电容变化值及所述第二电容变化值达到一最大电容变化值的一第二数量,以及计算所述第三电容变化值超过一第二临界值的一第三数量;

当该第一数量及该第二数量分别超过一第一预设量及一第二预设量以及该第三数量小于该第一数量时,该处理器使该触控感测显示装置进入该弯曲模式;

当该触控感测显示装置在该弯曲模式时,该处理器执行一第二操作,以提升该第二临界值。

2.根据权利要求1所述的触控感测显示装置,其特征在于,

在该第一操作中,该处理器还计算所述第三电容变化值到达该最大电容变化值的一第四数量;

当该第一数量及该第二数量分别超过该第一预设量及该第二预设量、该第三数量小于该第一数量以及该第四数量超过一第三预设量时,该处理器使该触控感测显示装置进入该弯曲模式。

3.根据权利要求1所述的触控感测显示装置,其特征在于,该触控感测显示装置还具有防误触及再校正功能;

当该处理器使该触控感测显示装置进入该弯曲模式时,该处理器禁能该防误触及该再校正功能。

4.根据权利要求1所述的触控感测显示装置,其特征在于,该电容值侦测装置还包括:

一自感通道,侦测所述第一电容变化值及所述第二电容变化值并传送侦测结果至该处理器;以及

一互感通道,侦测所述第三电容变化值以及传送侦测结果至该处理器。

5.根据权利要求1所述的触控感测显示装置,其特征在于,该处理器定义一区域为一弯曲区域,在该区域中,所述列电极的该第一电容变化值超过该第一临界值以及所述行电极的该第二电容变化值超过该第一临界值,并且定义其余的该区域为非弯曲区域,该处理器执行该第二操作以提升该弯曲区域的该第二临界值。

6.一种减少触控感测显示装置误报触控点的方法,其特征在于,包括:

提供多个列电极及多个行电极;

侦测每一列电极对一参考接地的一第一电容变化值以及每一行电极对该参考接地的一第二电容变化值,以及侦测所述行电极及所述列电极的每一交叉处的一第三电容变化值;

执行一第一操作,以根据所述第一电容变化值、所述第二电容变化值及所述第三电容变化值,决定进入一弯曲模式;

在该第一操作中,计算所述第一电容变化值及所述第二电容变化值超过一第一临界值的一第一数量,计算所述第一电容变化值及所述第二电容变化值达到一最大电容变化值的一第二数量,以及计算所述第三电容变化值超过一第二临界值的一第三数量;

当该第一数量及该第二数量分别超过一第一预设量及一第二预设量以及该第三数量小于该第一数量时,使该触控感测显示装置进入该弯曲模式;

当该触控感测显示装置在该弯曲模式时,执行一第二操作,以提升该第二临界值。

7.根据权利要求6所述的减少触控感测显示装置误报触控点的方法,其特征在于,还包括:

计算所述第三电容变化值到达该最大电容变化值的一第四数量;

当该第一数量及该第二数量分别超过该第一预设量及该第二预设量、该第三数量小于该第一数量且该第四数量超过一第三预设量时,该触控感测显示装置进入该弯曲模式。

8.根据权利要求6所述的减少触控感测显示装置误报触控点的方法,其特征在于,该触控感测显示装置还具有防误触及再校正功能;

当该触控感测显示装置进入该弯曲模式时,禁能该防误触及该再校正功能。

9.根据权利要求6所述的减少触控感测显示装置误报触控点的方法,其特征在于,还包括:

定义一区域为一弯曲区域,在该区域中,所述列电极的该第一电容变化值超过该第一临界值以及所述行电极的该第二电容变化值超过该第一临界值,并且定义其余的该区域为非弯曲区域,透过执行该第二操作提升该弯曲区域的该第二临界值。

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