[发明专利]一种投影物镜焦面形状测量标记装置及应用有效
| 申请号： | 201310648361.2 | 申请日： | 2013-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103616166A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 李金龙;胡松;赵立新;李兰兰;邸成良 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G01M11/02 | 分类号： | G01M11/02;G03F7/207 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 孟卜娟 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 投影 物镜 形状 测量 标记 装置 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种投影物镜焦面形状测量标记装置，其特征在于：所述投影物镜焦面形状测量标记装置依次含有镀铬区域、透光区域、相位凹槽区域，其中：
镀铬区域、透光区域、相位凹槽区域的宽度比为2:1:1；相位凹槽区域具有90°的位相深度。
2.一种投影物镜焦面形状测量标记装置，其特征在于：所述投影物镜焦面形状测量标记装置依次含有镀铬区域、相位凹槽区域、透光区域、，其中：
镀铬区域、相位凹槽区域、透光区域的宽度比为2:1:1；相位凹槽区域具有90°的位相深度；能够提高投影物镜焦面形状测量分辨力。
3.制作一带有投影物镜焦面形状测量分辨力测量标记装置的测试掩模，其特征在于：将权利要求1或2所述的投影物镜焦面形状测量分辨力的测量标记装置，均布在测试掩模整个曝光视场范围内，测试掩模曝光后，通过测量硅片表面干涉条纹偏移量，并结合硅片离焦量与干涉条纹偏移量间对应关系即获得其投影物镜的真实焦面形状。
4.一种光刻机超高精度的焦面控制方法，其特征在于：根据权利要求3所述的投影物镜的真实焦面形状，在光刻机的焦面的形状控制过程中，硅片曝光场进行平面拟合之前将硅片表面高度数据对应的减去投影物镜真实焦面数据，再将所得结果进行平面拟合进而完成光刻机超高精度的焦面控制。
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