[发明专利]原位生长制备硼酸镁晶须多孔陶瓷的方法有效
| 申请号： | 201310621570.8 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103626510A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 陈善华;张达富;孙刚;邹旋;蒋涛 | 申请（专利权）人： | 成都理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/81 | 分类号： | C04B35/81;C04B35/01;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610059 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 原位 生长 制备 硼酸 镁晶须 多孔 陶瓷 方法 | ||
1.一种原位生长制备硼酸镁晶须多孔陶瓷的方法，其特征在于：
该方法使用无机镁盐及硼酸为原料，以无机硝酸盐为催化剂，经过球磨混料，然后将混合粉末压制成坯料，采用高温焙烧进行物相转化，洗涤，干燥，制得硼酸镁晶须多孔陶瓷；
所述球磨混料工序中，镁盐、硼酸按Mg : B摩尔比为1 : 0.5 - 1 : 3混料，硝酸盐质量含量为混料总含量的1% - 10%。
2.根据权利要求1所述的原位生长制备硼酸镁晶须多孔陶瓷的方法，其特征在于：所述压坯工序中，压力为50 - 70MPa，混合粉末压制成直径为5 - 15mm的片状坯料。
3.根据权利要求1所述的原位生长制备硼酸镁晶须多孔陶瓷的方法，其特征在于：所述高温焙烧温度为800 - 1000℃，焙烧时间为2 - 6小时。
4.根据权利要求1所述的原位生长制备硼酸镁晶须多孔陶瓷的方法，其特征在于：所述洗涤在40 - 60℃的去离子水中进行，洗涤时间为1-3小时。
5.根据权利要求1所述的原位生长制备硼酸镁晶须多孔陶瓷的方法，其特征在于：所述无机镁盐为碱式碳酸镁、硝酸镁或氯化镁。
6.根据权利要求1所述的原位生长制备硼酸镁晶须多孔陶瓷的方法，其特征在于：所述硝酸盐为硝酸钴、硝酸铁或硝酸镍。
7.根据权利要求1所述的原位生长制备硼酸镁晶须多孔陶瓷的方法，其特征在于：所述球磨混料工序中，无机镁盐、硼酸以及硝酸盐混合粉末放入玛瑙球磨罐中，使用行星式球磨机球磨，球磨机的转速为250 - 350r/min，球磨时间为6 - 10小时。
8.根据权利要求1所述的原位生长制备硼酸镁晶须多孔陶瓷的方法，其特征在于：所述高温焙烧工序中，将坯料盛入石英坩埚并放入箱式高温炉中，以5 – 15℃/min 的升温速率将温度升至700℃，并保温1 - 3小时，随后再升至800 - 1000℃并保温2 - 6小时。
9.根据权利要求1所述的原位生长制备硼酸镁晶须多孔陶瓷的方法，其特征在于：所述干燥方式为真空干燥，干燥温度为70 - 90℃，干燥时间为1 - 4小时。
10.一种硼酸镁晶须多孔陶瓷，其特征在于：该硼酸镁晶须多孔陶瓷是采用权利要求1-9任一权利要求所述的方法制备的。
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