[发明专利]一种高比电容的SnO2/C多孔微球及其制备方法有效
| 申请号： | 201310599174.X | 申请日： | 2013-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN103681004B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 郑明涛;何诚龙;刘应亮;肖勇;董汉武;雷炳富;张浩然;冯濠彬 | 申请（专利权）人： | 华南农业大学 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/38;H01G11/46;H01M4/139;H01M4/38;H01M4/48 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510642 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电容 sno2 多孔 及其 制备 方法 | ||
1.一种高比电容的SnO2/C多孔微球的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.将2～5 g三苯基醋酸锡溶解于50mL无水乙醇中得溶液，将溶液于密闭、高温反应釜中，于500～700 ℃的温度下保持12小时得到黑色产物；
S2.对冷却后的黑色产物进行过滤洗涤，于50～80 ℃干燥6～8小时，得到前躯体；
S3.将前躯体于惰性气体保护中以2～5 m3/h水蒸气流速在500～700 ℃下加热活化2～4 小时，制得SnO2/C多孔微球。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S1所述500～700 ℃的温度是以5～20 ℃·min-1的升温速率升温至500～700 ℃的。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S2所述的黑色产物先后用去离子水和乙醇进行过滤洗涤。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S2所述的前躯体为1.5～2.5 μm的球形结构，且整个球体均镶嵌有直径为10～20 nm的纳米粒子。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S3所述加热活化的还原气氛由KOH高温活化条件下产生。
6.权利要求1至5任一项所述方法制备得到的高比电容的SnO2/C多孔微球。
7.根据权利要求6所述的SnO2/C多孔微球，其特征在于，该SnO2/C多孔微球材料中的SnO2为直径在10～20nm的纳米粒子，镶嵌在直径1～2 μm多孔炭微球中。
8.权利要求6或7所述高比电容的SnO2/C多孔微球的应用，其特征在于，所述SnO2/C多孔微球用于超级电容器电极材料和锂离子电池电极材料。
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