[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310594877.3 申请日: 2013-11-21
公开(公告)号: CN104659280A 公开(公告)日: 2015-05-27
发明(设计)人: 汤金明;李艳蕊;范洪涛 申请(专利权)人: 北京鼎材科技有限公司
主分类号: H01L51/54 分类号: H01L51/54;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 代理人:
地址: 100192 北京市海淀区西小口*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种有机电致发光器件,更具体而言,涉及一种高效率的有机电致发光器件。

技术背景

有机电致发光显示器(以下简称OLED)具有自主发光、低电压直流驱动、全固化、视角宽、重量轻、组成和工艺简单等一系列的优点,与液晶显示器相比,有机电致发光显示器不需要背光源,视角大,功率低,其响应速度可达液晶显示器的1000倍,其制造成本却低于同等分辨率的液晶显示器,因此,有机电致发光显示器具有广阔的应用前景。

有机电致发光二极管(OLED)自1987年发展至今,器件性能得到了大幅的提升,而器件性能的提升除了材料的不断创新之外,随之相应的就是器件结构的不断完善。OLED器件结构从最初的单层结构,历经双层结构、三层结构,发展至现在的多层结构。目前较常用的结构是多层结构:阳极/空穴注入层(HIL)/空穴传输层(HTL)/发光层(EML)(一般为主体Host掺杂发光染料dopant)/电子传输层(ETL)/电子注入层(EIL)/阴极,这种器件结构中每一层材料都具有各自的特点和功能,使得空穴和电子能够更好的注入和复合,从而提高器件的效率。但如果每层使用的材料不同,那么层与层之间就相当于异质结,对于异质结OLED器件来说,有如下缺点:各层材料之间的能级存在势垒,所以器件的电压较高;另外,由于电子和空穴迁移率或者注入数目的不一致,往往在HTL/EML界面,或者EML/ETL界面产生空穴或电子的积累,如此会形成一些不稳定的正离子或者负离子,从而导致器件寿命的衰减。针对这些缺点,研究者们想到了各种方法去解决。比如,去尽量消除或者模糊异质结。如,通过发光层采用双主体的方法(见文献:Appl.phys.lett.,86,103506(2005);Appl.phys.lett.,89,163511(2006);Appl.phys.lett.,80,725(2002);Appl.phys.lett.,80,3641(2002);Jour.Appl.phys.,93,1108(2003);),而且第一主体使用和HTL相同的材料,第二主体使用与ETL相同的材料,二者共蒸作为主体,就可以使得HTL/EML,或者EML/ETL的界面模糊,从而一定程度上消除了异质结,使得器件的电压下降、寿命提升,但是这种双主体器件,又伴随着另外一个缺点,那就是器件效率的下降。

本申请针对双主体磷光器件效率下降的问题,提出了一种方法,可以使器件电压降低、寿命提高的同时,效率得到提升。

发明内容

本申请针对双主体器件效率下降的问题,提出了一种有机电致器件,可以使器件电压降低,寿命提高的同时,效率得到提升。

为此,本发明采取的技术方案为:

一种有机电致发光器件,包含一对电极和设置在该电极对之间的发光层,并且该发光层包含第一主体材料、第二主体材料和掺杂染料,其中:

(a)第一主体材料为一种并喹啉衍生物;

(b)第二主体材料是一种具有如下所示通式(I)结构的吲哚衍生物,

其中:

R1选自C1~C20的脂肪族直链或支链烃基或C6~C30的芳香族基团其中之一;

R2选自C4~C40的取代或非取代的芳胺基团、C4~C40的取代或非取代的咔唑基团、C4~C40的取代或非取代的二苯并噻吩基团、C4~C40的取代或非取代的吲哚基团、C4~C40的取代或者非取代二苯并呋喃基团的其中之一;

L为桥联基团,选自单键、C4~C40的取代芳胺、C4~C40的取代咔唑、C4~C40的取代吲哚、C4~C40的取代二苯并呋喃、C4~C40的取代二苯并噻吩、取代或未取代的二苯醚、氧原子、氮原子或硫原子的其中之一;

R3-R6独立地选自H原子、C1~C20的脂肪族直链或支链烃基或C6~C30的芳香族基团,或者,相邻两个基团连接成环,形成苯并吲哚衍生物;

n选自2-5的整数。

优选的,通式(I)中的R1可选自甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、正丁基、戊基、乙基、苯基、联苯基、萘基、蒽基中的任意一种。

优选的,通式(I)中的R2可选自C4~C40的N-芳香基咔唑基、咔唑基芳香基、N-烷基咔唑基、咔唑基、烷基取代的咔唑基芳香基、三芳胺基、二芳胺基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、芳香基取代的苯并噻吩基、苯并呋喃基或二苯并呋喃基的其中之一。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京鼎材科技有限公司;,未经北京鼎材科技有限公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310594877.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top