[发明专利]一种光学防伪元件及其制作方法有效
申请号: | 201310594525.8 | 申请日: | 2013-11-21 |
公开(公告)号: | CN104647934A | 公开(公告)日: | 2015-05-27 |
发明(设计)人: | 胡春华;吴远启;张宝利;张昊宇;周赟;蔡翔 | 申请(专利权)人: | 中钞特种防伪科技有限公司;中国印钞造币总公司 |
主分类号: | B42D25/29 | 分类号: | B42D25/29;B42D25/30;G02B5/18 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 陈潇潇;肖冰滨 |
地址: | 100070 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光学 防伪 元件 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及光学防伪领域,具体地,涉及一种光学防伪元件及其制作方法。
背景技术
为了防止钞票、信用卡、护照、有价证券以及产品包装被复制,通常会使用光学防伪技术在这些印刷品中植入光学防伪元件,从而达到防伪的目的。
为了增加防伪图像的亮度,光学防伪原件一般采用金属反射层。为了增加防伪的效果,金属反射层需要进行镂空形成特定的图案。现有技术中,对金属反射层进行镂空一般有两种方法,一种是水洗去金属法,另外一种是碱洗去金属法。这两种金属反射层镂空方法中,需要将水洗胶层或者保护层与膜上的微结构的光学图像进行套印对准,而现有设备的套印误差比较大,因此不能得到连续化的、准确定位的镂空光学图像。
专利文件CN102460236A公开了一种金属反射层镂空的技术方案。在该技术方案中,可以形成含有平坦或深宽比小的凹凸结构的第一区域和含有深宽比更大的凹凸结构的第二区域的起伏结构层,然后在起伏结构层上以均匀的表面密度形成金属反射层,并且在金属反射层蒸镀不同于金属反射层材料的掩膜层,接着将掩膜层暴露于可与金属反射层材料反应的气体或液体中来去除第二区域的金属反射层和掩膜层,而保留与第一区域对应的金属反射层。在该技术方案中,采用的掩膜层为MgF2,导致金属反射层形成的图像边缘不细致,并且只能保留第一区域对应的具有平坦的或深宽比小的凹凸结构,而不能保留第二区域对应的含有深宽比更大的凹凸结构。
专利文件US2008/0050660A1公开了另外一种金属反射层镂空的技术方案。在该技术方案中,可以形成含有深宽比大的凹凸结构的第一区域和具备平坦的或深宽比更小的凹凸结构的第二区域的起伏结构层,然后在该起伏结构层上,以均匀的表面密度形成金属反射层,并且在金属反射层上形成感光胶层;接着从起伏结构层侧将层叠体的整面曝光,在此由于第一区域和第二区域光透过率的差异,与第一区域对应的感光胶层能够以更高的效率产生光反应;最后利用溶剂将第一区域或第二区域对应的感光胶层除去,并采用未被除去的感光胶层作为保护层,进行金属反射层的蚀刻处理。该技术方案可以保留第一区域或第二区域对应金属反射层,达到了准确定位的去金属镂空效果,但是无法同时保留第一区域和第二区域对应的金属反射层。
发明内容
本发明的目的是提供一种光学防伪元件及其制作方法,提高防伪元件的防伪效果。
为了实现上述目的,本发明提供了一种光学防伪元件的制作方法,该制作方法包括:在支撑层上形成起伏结构层,所述起伏结构层包括不相邻的第一区域和第二区域、包围所述第一区域并且与所述第一区域邻接的第三区域、以及包围所述第二区域并且与所述第二区域邻接的第四区域,所述第一区域具有第一起伏结构,所述第二区域具有第二起伏结构,所述第三区域具有第三起伏结构,所述第四区域具有第四起伏结构,所述第一起伏结构的深宽比小于所述第二起伏结构的深宽比,所述第三起伏结构的深宽比大于所述第一起伏结构的深宽比,所述第四起伏结构的深宽比小于所述第一起伏结构的深宽比;在所述起伏结构层上以均匀表面密度蒸镀金属反射层;在所述金属反射层上对应所述第一区域和所述第二区域分别套印正性感光胶和负性感光胶,所述正性感光胶的边界位于所述第三区域中且包围所述第一区域,所述负性感光胶的边界位于所述第四区域中且包围所述第二区域;从所述正性感光胶和所述负性感光胶的正面或背面曝光;显影;以及去除未被所述正性感光胶和所述负性感光胶保护的金属反射层。
优选地,所述第一起伏结构的深宽比小于0.2,所述第二起伏结构的深宽比大于0.5,所述第三起伏结构的深宽比与所述第一起伏结构的深宽比的差值大于0.4,所述第二起伏结构的深宽比与所述第四起伏结构的深宽比的差值大于0.4。
优选地,所述第一起伏结构和/或所述第四起伏结构的深度位于20nm~1500nm的范围内,所述第一起伏结构和/或所述第四起伏结构的宽度位于100nm~3000nm的范围内。
优选地,所述第二起伏结构和/或所述第三起伏结构的深度位于80nm~6000nm的范围内,所述第二起伏结构和/或所述第三起伏结构的宽度位于100nm~3000nm的范围内。
优选地,所述第四区域为平坦区域。
优选地,所述第一起伏结构和/或所述第二起伏结构为正弦光栅结构、闪耀光栅结构、矩形光栅结构、柱面光栅结构、球面光栅结构以及平坦结构中任意一者或至少二者的组合。
优选地,所述第一起伏结构和/或所述第二起伏结构为一维光栅结构和二维光栅结构中任意一者或二者的组合。
优选地,所述支撑层和所述起伏结构层之间具有剥离层或粘结增强层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中钞特种防伪科技有限公司;中国印钞造币总公司;,未经中钞特种防伪科技有限公司;中国印钞造币总公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310594525.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种用作纸张夹持的磁力夹
- 下一篇:一种带有音响的打印机