[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法在审
申请号: | 201310589226.5 | 申请日: | 2013-11-20 |
公开(公告)号: | CN104659255A | 公开(公告)日: | 2015-05-27 |
发明(设计)人: | 周明杰;黄辉;张振华;王平 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于有机电致发光领域,具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)是一种以有机材料为发光材料,能把施加的电能转化为光能的能量转化装置。它具有超轻薄、自发光、响应快、低功耗等突出性能,在显示、照明等领域有着极为广泛的应用前景。
有机电致发光器件的结构为三明治结构,在阴极和导电阳极之间夹有一层或多层有机薄膜。在含多层结构的器件中,两极内侧主要包括发光层、注入层及传输层。有机电致发光器件是载流子注入型发光器件,在阳极和阴极加上工作电压后,空穴从阳极,电子从阴极分别注入到工作器件的有机材料层中,两种载流子在有机发光材料中复合形成空穴-电子对发光,然后光从电极发出。
在传统的发光器件中,电子传输速率比空穴传输速率低,使得激子复合几率偏低,并且复合的区域不在发光区域内,因此发光效率较低。
发明内容
为了解决上述问题,本发明通过对电子注入层进行优化,从而提高电子传输速率,提供一种具有较高出光效率的有机电致发光器件。本发明还提供了一种有机电致发光器件的制备方法。
第一方面,本发明提供了一种有机电致发光器件,包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极,所述电子注入层包括依次层叠的二氧化钛层、三元掺杂层和空穴层,其中:
所述二氧化钛层的材质为二氧化钛;
所述三元掺杂层的材质为铯盐、功函数为-4.0~-5.5eV的金属与双极性有机传输材料按照质量比0.1:0.5:1~0.5:1:1混合形成的混合物;
所述空穴层的材质为2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷(F4-TCNQ)、4,4,4-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺(1T-NATA)或二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺(2T-NATA)。
本发明采用的二氧化钛为普通市售二氧化钛,比表面积大,孔隙率高,可使光发生散射,使向两侧发射的光可以回到中间,提高出光效率。
优选地,二氧化钛的粒径为20~50nm。
优选地,二氧化钛层的厚度为50~90nm。
三元掺杂层由铯盐、高功函数金属(功函数为-4.0~-5.5eV)以及双极性有机传输材料组成,双极性有机传输材料可提高电子传输速率,铯盐与双极性有机传输材料可形成n掺杂,可进一步提高电子传输速率。高功函数金属可提高器件的导电性,提高膜层稳定性,并可对光产生反射,使光往底部出射,提高出光效率。
铯盐、功函数为-4.0~-5.5eV的金属与双极性有机传输材料按照质量比0.1:0.5:1~0.5:1:1混合。即铯盐与双极性有机传输材料的质量比为0.1~0.5:1,且金属与双极性有机传输材料的质量比为0.5~1:1。
优选地,铯盐为氟化铯、氯化铯、碳酸铯或叠氮铯。
优选地,功函数为-4.0~-5.5eV的金属为银、铝、铂或金。
优选地,双极性有机传输材料为2,4,6-三(N-苯基-1-萘氨基)-1,3,5-三嗪(TRZ4)、2,6-二(3-(9H-咔唑-9-基)苯)吡啶(2,6Dczppy)、3′,3″-(4-(萘-1-基)-4H-1,2,4-三唑-3,5-二基)双(N,N-二(联苯基)-4-氨)(p-TPAm-NTAZ)或2,5-双(4-(9-(2-乙基己基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-1,3,4-噁二唑(CzOXD)。
优选地,三元掺杂层的厚度为30~80nm。
空穴层的材质为本领域常用的空穴注入材料,HOMO能级很低,可阻挡空穴穿越到阴极一端与电子发生复合而发生淬灭,有利于提高器件的发光效率。
优选地,空穴层的厚度为10~60nm。
玻璃基底为普通市售玻璃。
优选地,阳极的材质为透明导电薄膜,选自铟锡氧化物(ITO)、铝锌氧化物(AZO)或铟锌氧化物(IZO)。更优选地,阳极的材质为ITO。
优选地,阳极的厚度为50~300nm。更优选地,阳极的厚度为105nm。
优选地,空穴注入层的材质为三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)或五氧化二钒(V2O5)。更优选地,空穴注入层的材质为MoO3。
优选地,空穴注入层的厚度为20~80nm。更优选地,空穴注入层的厚度为50nm。
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