[发明专利]数据写入方法、存储器储存装置、存储器控制电路单元在审
申请号: | 201310583439.7 | 申请日: | 2013-11-19 |
公开(公告)号: | CN104657083A | 公开(公告)日: | 2015-05-27 |
发明(设计)人: | 叶志刚 | 申请(专利权)人: | 群联电子股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G06F12/08 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 史新宏 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据 写入 方法 存储器 储存 装置 控制电路 单元 | ||
技术领域
本发明是有关于一种数据写入机制,且特别是有关于可复写式非易失性存储器模块的数据写入方法、存储器储存装置与存储器控制电路单元。
背景技术
数字相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速,使得消费者对储存媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(例如,闪存)具有数据非易失性、省电、体积小,以及无机械结构等特性,所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。
一般来说,可复写式非易失性存储器模块会与主机系统搭配使用。主机系统上可能还会再配置一个易失性的存储器,并且在运作时此易失性的存储器会储存一些主机系统的数据。若主机系统忽然断电或是要休眠,则在易失性存储器中的数据必须写入至可复写式非易失性存储器模块当中。在一些情况之下,此易失性存储器中的数据是连续地顷印(dump)至可复写式非易失性存储器模块,并且主机系统必须要在一个预设时间内完成所有的写入操作。因此,可复写式非易失性存储器模块也必须要在预设时间内完成大量的连续写入操作,亦即连续写入的速度也必须要高于一个目标值。
随着可复写式非易失性存储器模块的不同管理方式,连续写入与非连续写入之间有一个权衡。一般来说,以逻辑编程单元来管理可复写式非易失性存储器模块会得到较高的非连续写入速度,若以逻辑抹除单元来管理可复写式非易失性存储器模块会得到较高的连续写入速度。在一般运作下主机系统执行非连续写入的机率可能会高于执行连续写入的机率,但在上述忽然断电或是休眠时则会有大量的连续写入操作。若以逻辑编程单元来管理可复写式非易失性存储器模块且在进行非连续写入一段时间以后进行连续写入,则连续写入的速度可能会因为要进行垃圾收集(garbage collection)而大幅的下降,进而无法在预设时间内完成上述大量的连续写入操作。因此,如何在此情况下确保连续写入的速度会高于目标值,为本领域技术人员所关心的议题。
发明内容
本发明提供一种数据写入方法、存储器储存装置与存储器控制电路单元,可以确保连续写入的速度会高于一个目标值。
本发明一范例实施例提出一种数据写入方法,用于可复写式非易失性存储器模块。此可复写式非易失性存储器模块包括多个物理抹除单元,并且每一个物理抹除单元包括多个物理编程单元。此数据写入方法包括:配置多个逻辑地址,其中这些逻辑地址组成多个逻辑编程单元,并且这些逻辑编程单元组成多个逻辑抹除单元;将逻辑抹除单元分为第一区与第二区;接收来自主机系统的写入指令,其指示将第一数据写入至至少一个第一逻辑地址,并且第一逻辑地址属于第一逻辑抹除单元;判断第一逻辑抹除单元属于第一区或是第二区;若第一逻辑抹除单元属于第一区,执行第一写入程序;若第一逻辑抹除单元属于第二区,执行第二写入程序。第一写入程序包括:提取一闲置物理编程单元;以及将第一数据写入至闲置物理编程单元。其中该闲置物理编程单元属于第一物理抹除单元,第一物理抹除单元还储存属于第二逻辑抹除单元的数据,并且第二逻辑抹除单元不同于第一逻辑抹除单元。第二写入程序包括:提取第二物理抹除单元;以及将第一数据写入至第二物理抹除单元。其中第二物理抹除单元中所有的有效数据都属于第一逻辑抹除单元。
在一范例实施例中,上述的数据写入方法还包括:根据一目标写入速度决定第一比率与第二比率。其中第一比率的逻辑抹除单元属于第一区,并且第二比率的逻辑抹除单元属于第二区。
在一范例实施例中,上述的第一写入程序具有随机写入速度,第二写入程序具有连续写入速度。上述决定第一比率与第二比率的步骤包括:设定第一比率与第二比率,使得第一比率与随机写入速度的相乘加上第二比率与连续写入速度的相乘大于等于目标写入速度。
在一范例实施例中,上述的逻辑抹除单元是交错地属于第一区与第二区。
在一范例实施例中,上述的逻辑抹除单元中一连续部分的逻辑抹除单元是属于第一区,并且另一连续部分的逻辑抹除单元是属于第二区。
在一范例实施例中,上述的数据写入方法还包括:选取第三物理抹除单元;判断第三物理抹除单元中的有效数据属于第一区或是第二区;若第三物理抹除单元中的有效数据属于第一区,执行第一垃圾收集程序。此第一垃圾收集程序包括:将第三物理抹除单元中的有效数据搬移至第四物理抹除单元,其中第四物理抹除单元储存属于不同逻辑抹除单元的数据;以及抹除第三物理抹除单元。
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