[发明专利]一种超薄抗金属标签结构及其组装方法有效
申请号: | 201310576480.1 | 申请日: | 2013-11-18 |
公开(公告)号: | CN103593701A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 史纪元 | 申请(专利权)人: | 群淂数码科技(上海)有限公司 |
主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077 |
代理公司: | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人: | 曾耀先 |
地址: | 200050 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超薄 金属 标签 结构 及其 组装 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种标签结构及组装方法,尤指一种超薄抗金属标签结构及其组装方法。
背景技术
射频识别(Radio Frequency Identification,RFID)技术是一种利用射频通信实现的非接触式自动识别技术。RFID标签具有体积小、容量大、寿命长、可重复使用等特点,可支持快速读写、非可视识别、移动识别、多目标识别、地位及长期跟踪管理。RFID在物流管理、防伪、交通信息化、工业自动化中都有重要的应用,该技术与互联网、通讯等技术相结合,可实现全球范围内物品的跟踪与信息共享,RFID已成为IT业界的热点。
RFID系统主要由电子标签、阅读器和天线组成。电子标签是RFID系统的重要组成部分,各式各样的电子标签已成为RF I D的研究热点。
普通RFID电子标签直接贴附于金属表面上,由于金属表面对入射电磁波的反射作用,将会有较强的反方向电磁波也穿过电子标签。入射波与反射波相位叠加后相互会抵消,RF强度大大削弱,严重地影响读写器对RFID标签的读取距离,甚至无法读取RF I D标签上的数据。同时,读写器与RFID标签间产生的磁通量在金属表面感应涡流,根据楞次定律,涡流对读写器的磁场起反作用,致使金属表面上的磁场再次被强烈地衰减。从而导致普通电子标签在金属表面无法被正确识别,针对带有各种金属表面的识别物的管理,如金属资产、大型压力容器钢瓶、大型钢材等,就需要采用抗金属标签。
抗金属标签是用一种特殊的防磁性吸波材料封装成的电子标签,从技术上解决了电子标签不能附着于金属表面使用的难题。产品可防水、防酸、防碱、防碰撞,可在户外使用。
将抗金属电子标签贴在金属上能获得良好的读取性能,甚至比在空气中读的距离更远。采用特殊的电路设计,该型号电子标签能有效防止金属对射频信号的干扰,更突出的特点是贴在金属上的读取距离比不贴金属上读得更远。
为了提供最大的实用性,适应目前RFID产业的发展方向,抗金属标签的设计应该考虑以下因素:(1)制作成本低廉(2)外形小巧美观(3)制作工艺步骤简单(4)性能实现高增益。在本发明中的这种革新将满足以上提到的全部要求。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷,提供一种超薄抗金属标签结构及其组装方法,可以在工艺和生产上节省成本,同时在性能上能够达到很高的增益,该超薄抗金属标签结构还具有结构稳定,环境适应性强。
实现上述目的的技术方案是:
本发明的一种超薄抗金属标签结构,包括一介质基板,所述介质基板包括四个连续且首尾相接的第一工作面、第二工作面、第三工作面以及第四工作面,通过薄膜标签包覆于所述第一工作面、第二工作面、第三工作面以及第四工作面形成谐振回路。
采用上述技术方案,直接将薄膜标签包覆于介质基板上,省去了基板印刷的步骤,由于薄膜标签在成本上的优势,其在工艺和生产上很大程度的节省了成本。并且该标签在性能上面可以达到很高的增益,当本发明的标签整体尺寸在75mm*25mm*1mm的情况下,可以做到2.5-4Dbi的增益值。
本发明的进一步改进在于:所述薄膜标签包括一第一分段、一第二分段、一第三分段、一第四分段以及一第五分段,其中:
所述第五分段贴合于所述第一工作面,所述第五分段包括一薄膜以及覆于所述薄膜上的第五金属图案;
所述第一分段贴合于所述第一工作面,且部分贴合于所述第五分段,所述第一分段包括一薄膜以及覆于所述薄膜上的第一金属图案;
所述第二分段贴合于所述第二工作面,且连接所述第一分段,所述第二分段包括一薄膜以及覆于所述薄膜上的第二金属图案;
所述第三分段贴合于所述第三工作面,且连接所述第二分段,所述第三分段包括一薄膜以及覆于所述薄膜上的第三金属图案;
所述第四分段贴合于所述第四工作面,且连接所述第三分段与所述第五分段,所述第四分段包括一薄膜以及覆于所述薄膜上的第四金属图案。
本发明的进一步改进在于:所述第一金属图案进一步包括一第一线路图案和一环形图案,且所述第一线路图案与所述环形图案之间连接有一射频芯片;所述环形图案由依次连接的一第二线路图案、一第三线路图案、一第五线路图案以及一第四线路图案组成。
本发明的进一步改进在于:所述射频芯片的第一引脚连接所述第二线路图案,所述射频芯片的第二引脚连接所述第一线路图案。
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