[发明专利]一种PNPN型ESD保护器件及ESD保护电路

权利要求书

1.一种PNPN型ESD保护器件，其特征在于，包括P型衬底（116），所述P型衬底（116）内设有N型埋层（102），N型埋层（102）上注有深N阱（101），所述深N阱（101）内注有第一N+区（104）、第一P+区（105）、第二N+区（106）和低压P阱（103），所述低压P阱（103）内注有N型漂移区（109）和第二P+区（108），所述N型漂移区（109）内注有第三N+区（107），其中：

所述P型衬底（116）、深N阱（101）和低压P阱（103）上均覆盖有氧化隔离层（112）；

所述第二N+区（106）横跨在所述深N阱（101）内低压P阱（103）的左边边界上。

2.根据权利要求1所述的PNPN型ESD保护器件，其特征在于，所述第一P+区（105）引出一个器件端口A，所述第三N+区（107）和第二P+区（108）共同引出另一个器件端口B。

3.一种基于权利要求1所述PNPN型ESD保护器件的ESD保护电路，外接被保护芯片（115）的端口，其特征在于，包括至少两个ESD保护器件（113、114），其中：

每个ESD保护器件中的第一P+区（105）引出一个器件端口A，第三N+区（107）和第二P+区（108）共同引出另一个器件端口B；

至少一个ESD保护器件（113）的A端接被保护芯片（115）的端口，B端接地；

至少另一个ESD保护器件（114）的A端接地，B端接被保护芯片（115）的端口。

4.根据权利要求3所述的ESD保护电路，其特征在于，所述的被保护芯片（115）与各个ESD保护器件共用接地端。