[发明专利]影像感测装置在审
申请号: | 201310571396.0 | 申请日: | 2013-11-13 |
公开(公告)号: | CN104637960A | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 林淯琮;林东龙;张中玮 | 申请(专利权)人: | 恒景科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N1/028 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王琼 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 装置 | ||
技术领域
本发明所揭露的实施例关于影像感测装置,尤其是指一种用于辅助校正滤光的光学装置。
背景技术
随着通讯系统的快速发展,许多电子装置上都配备有拍照或摄影的功能,特别是可携式电子装置(例如智能手机或笔记本电脑),然而在使用者对此类产品的极度轻薄的要求之下,相机模块的体积越来越小,同时像素数越来越高,因此制造难度越来越高。而且,在体积小且像素数提高的情况下,更不易提高影像品质。因此,如何改善上述问题,俨然已成为此领域中一个相当重要的议题。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种影像感测装置,尤其是指一种用于辅助校正滤光的光学装置来解决上述议题。
依据本发明的一第一实施例,其提供一种影像感测装置,包含有一微透镜组、一彩色滤光组以及一半导体基底。其中,该微透镜组包含有一第一透镜单元以及一第二透镜单元。该彩色滤光组包含有一第一彩色滤光单元以及一第二彩色滤光单元。其中,该第一透镜单元与该第二透镜单元分别设置于该第一彩色滤光单元以及该第二彩色滤光单元之上,且该第一透镜单元与该第二透镜单元各自的曲率依据该第一彩色滤光单元以及该第二彩色滤光单元设定。该半导体基底包括一第一感光单元及一第二感光单元,所述第一感光单元和第二感光单元分别对应于该第一彩色滤光单元和该第二彩色滤光单元。
总结来说,本发明所提出的影像感测装置可以改善不同颜色的光线在感光层中的吸收位置的深浅并不相同所造成的偏差,同时使像素单元之间 排列更为紧密,进而改善了相机模块的效果以及缩小其面积。
附图说明
图1为习知的相机模块的示意图。
图2为本发明影像感测装置的一实施例的示意图。
图3为本发明影像感测装置使用灰阶光罩制程的示意图。
具体实施方式
在说明书及所附的权利要求书中使用了某些词汇来指称特定的元件。所属领域中具有通常知识者应可理解,制造商可能会用不同的名词来称呼同样的元件。本说明书及所附的权利要求书并不以名称的差异来作为区分元件的方式,而是以元件在功能上的差异来作为区分的准则。在通篇说明书及所附的权利要求中所提及的“包含有”为一开放式的用语,故应解释成“包含有但不限定于”。
请参考图1,图1为习知的影像感测装置的示意图。影像感测装置包括一微透镜组10、一彩色滤光组12、一绕线层13及一半导体基底14,以形成一感测阵列。微透镜组10包括微透镜102、108及114。彩色滤光组12包括滤光单元104、110及116。绕线层13包括金属层130及介电层132。半导体基底14包括感光单元106、112、118,以及其他未绘于图示的电路元件等。感测阵列包含复数个对应于不同颜色的像素,例如蓝色像素、绿色像素及红色像素。在本例中,蓝色像素包括一微透镜(micro lens)102、一滤光单元(例如一蓝色滤光片)104以及一感光单元106;绿色像素包括一微透镜108、一滤光单元(例如一绿色滤光片)110以及一感光单元112;红色像素包含一微透镜114、一滤光单元(例如一红色滤光片)116以及一感光单元118。由实验得知,该蓝色像素的感光单元106中的吸收区域(absorption region)的位置最浅,该绿色像素的感光单元112中的吸收区域的位置较中间,而该红色像素的感光单元118中的吸收区域的位置最深。由于习知的技术中并没有针对不同颜色像素的微透镜做不同的规格设计,因此习知的作法无法准确地将不同颜色的光线聚焦到所对应的吸收区域的深度上,如此一来会影响感光的效果。除此之外,以往受限于制程,透镜 之间必须要保有一距离,无法紧密地排列,因此,连带影响相机模块的体积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的