[发明专利]压电零件无效

专利信息
申请号: 201310566415.0 申请日: 2013-11-14
公开(公告)号: CN103824932A 公开(公告)日: 2014-05-28
发明(设计)人: 津田稔正 申请(专利权)人: 日本电波工业株式会社
主分类号: H01L41/08 分类号: H01L41/08;H03H9/25;H03H9/02
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 臧建明;张洋
地址: 日本东京涉谷区笹*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 压电 零件
【说明书】:

本申请主张于2012年11月15日向日本专利局提出申请的日本专利申请案2012-250824号、及于2012年12月18日向日本专利局提出申请的日本专利申请案第2012-275354号的优先权及权利,所述申请案的全文以引用的方式并入本文。 

技术领域

本揭示涉及一种压电零件(piezoelectric component),尤其涉及一种移动通信的基站等、被要求高度动作稳定性的设备中所使用的压电零件,以及例如手机等移动通信机器中使用的表面声波双工器(surface acoustic wave duplexer,SAW duplexer)、SAW滤波器中使用的弹性表面波器件(SAW device)以及压电薄膜滤波器等压电零件。 

背景技术

用于手机等移动通信基站的机器中所使用的滤波器等中的表面声波器件(SAW device)、或压电薄膜滤波器等压电零件,被气密密封为芯片尺寸(chip size)。压电零件在梳齿电极(叉指换能器(interdigital transducer,IDT)电极部)的周围确保规定的空隙(振动空间部、中空构造、空腔)。另外,压电零件有各种,一般广为人知的是SAW器件,因而,在以下的说明中,主要以SAW器件为例。 

在现有的SAW器件中,将SAW元件芯片面朝上(face up)地粘晶在具有空隙构造的陶瓷基板上,利用打线接合将SAW元件芯片与配线基板之间进行电连接后,从SAW元件芯片上覆盖金属顶盖(cap),并利用缝焊接(seam welding)或焊料将接合部密封从而进行封装。 

为了实现此种SAW器件等的小型化,最近有如下的SAW器件,其是使用金凸块(Au bump)或者焊料凸块来将SAW元件的芯片倒装芯片接合(flip chip bonding)(面朝下(face down)接合)在配线基板上,并利用树脂等将整体进行树脂密封而成(日本专利特开2009-135635号 公报及日本专利特开2004-147220号公报)。 

而且,为了实现SAW器件的小型化、低背化(low profile),而提出有如下的超小型化的芯片尺寸、封装SAW器件,其是在梳齿电极(IDT电极部)的周围形成规定的空隙,在保持着该空隙的状态下,由树脂将梳齿电极侧的集合压电板(晶片)整体密封,形成外部连接电极(安装端子)后,沿着规定的标记并利用切割(dicing)而分割为各个SAW器件而成(日本专利特开2010-10812号公报及日本专利特开2006-246112号公报)。 

此外,日本专利特开2007-28172号公报中记载了如下构造:在梳齿电极的上方设置用以减小所述空隙的高度的片材(sheet),密封树脂是用于固定该片材、并且密封树脂是用于固著将压电板与SAW元件進行密封的绝缘基板,在密封树脂中混入平均粒径大于压电板与片材的间隔的填料,以确保空隙。 

有著由树脂材料的盖层(cover layer)构成IDT的动作空间的SAW器件。在将所述SAW器件利用铸模(mold)树脂进行铸模时,有著因该铸模时的高温而引起盖层翘曲、或者产生破损,而动作空间被破坏的可能。为了避免该情况,在WO2006/134928号公报中公开了如下构造:以包围IDT的周围的方式,设置包含树脂材料的支持层(凸条(rib)),并在该凸条上配置盖层(构成动作空间的顶层),由此确保IDT的动作空间。 

而且,日本专利特开2010-10812号公报中记载了如下构造:由包含与上述树脂材料相同的树脂材料的凸条及盖层来形成IDT的动作空间,为了将设置于盖层的外表面的外部端子与输入输出电极、配线予以电连接,而在IDT的输入输出电极、配线形成再配线层,并经由贯通盖层的电极柱而将外部端子与再配线层予以连接。在外部端子上,形成用以在之后的步骤中与安装基板进行电连接的焊球等的导电连接构件。 

图27是将由包含树脂材料的盖层形成动作空间的现有的SAW器件的一例,进行简化而表示的示意剖面图。该SAW器件200是:在压电板201的一面(主面)形成着IDT202。此处,表示为,IDT202包含: 梳齿电极202a与对该梳齿电极202a输入输出信号的输入输出电极、配线部202b。IDT202的动作空间221是由包含树脂材料的盖层208而形成。 

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