[发明专利]CMOS感光器件接触孔刻蚀方法及CMOS感光器件制造方法无效
| 申请号： | 201310566396.1 | 申请日： | 2013-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103560137A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 李程;吴敏;杨渝书;秦伟;黄海辉;高慧慧 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 感光 器件 接触 刻蚀 方法 制造 | ||
1.一种CMOS感光器件接触孔刻蚀方法，其特征在于包括：
步骤一：对包含氧化硅和氮化硅的层间介质层执行主刻蚀，以刻蚀层间介质层；
步骤二：执行层间介质层过刻蚀，以进一步刻蚀层间介质层，其中，氧化硅和氮化硅的刻蚀速率分别小于步骤一中的氧化硅和氮化硅的刻蚀速率，并且其中氧化硅刻蚀速率大于氧化硅刻蚀速率；
步骤三：执行去胶；
步骤四：执行刻蚀阻挡层刻蚀，用于打开层间介质层刻蚀阶段的刻蚀阻挡层，使接触孔到达底部的镍硅化物层；
步骤五：执行聚合物去除，用以清除刻蚀阻挡层刻蚀过程中等离子体与氮化硅形成的富碳氟的聚合物；
步骤六：执行氧化硅去除步骤，用于刻蚀像素区域硅栅和有源区域上方的氧化硅层。
2.根据权利要求1所述的CMOS感光器件接触孔刻蚀方法，其特征在于还包括：步骤七，执行刻蚀后处理，用于聚合物清除或者刻蚀损伤修复。
3.根据权利要求1或2所述的CMOS感光器件接触孔刻蚀方法，其特征在于，在步骤四中，氮化硅刻蚀速率大于氧化硅刻蚀速率。
4.根据权利要求1或2所述的CMOS感光器件接触孔刻蚀方法，其特征在于，在步骤四中，氮化硅刻蚀速率至少是氧化硅刻蚀速率的2倍。
5.根据权利要求1或2所述的CMOS感光器件接触孔刻蚀方法，其特征在于，在步骤四中，氮化硅刻蚀速率至少是氧化硅刻蚀速率的5倍。
6.一种CMOS感光器件制造方法，其采用了根据权利要求1至5之一所述的CMOS感光器件接触孔刻蚀方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
