[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，包括阳极导电基板，在阳极导电基板表面依次层叠设置的有机发光功能层和阴极层，以及包括封装层，其特征在于，所述封装层包括在所述阴极层表面依次层叠设置的保护层、无机阻挡层、有机硅化合物层以及聚对苯二甲酸乙二酯膜，所述聚对苯二甲酸乙二酯膜与所述阳极导电基板形成封闭空间，所述有机发光功能层、阴极层、保护层、无机阻挡层和有机硅化合物层容置在所述封闭空间内；

所述保护层的材质为酞菁铜、N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、8-羟基喹啉铝、一氧化硅、氟化镁和硫化锌中的一种；

所述无机阻挡层的材质为碱土金属氧化物；

所述有机硅化合物层的材质为聚[(3-(二（三氟甲基）(甲氧基)硅基)丙基)二（三氟甲基）(甲基)硅烷]、聚[(3-(二（五氟乙基）(甲氧基)硅基)丙基)二（五氟乙基）(甲基)硅烷]和聚[(3-(二（七氟丙基）(甲氧基)硅基)丙基)二（七氟丙基）(甲基)硅烷]中的一种。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述保护层的厚度为200nm～300nm，所述无机阻挡层的厚度为15nm～20nm，所述有机硅化合物层的厚度为1μm～1.5μm。

3.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在洁净的导电基板表面制备有机电致发光器件的阳极图形，形成阳极导电基板；

（2）采用真空蒸镀的方法在阳极导电基板表面依次制备有机发光功能层和阴极层，蒸镀速率为真空度为1×10^-5Pa～1×10^-3Pa；

（3）在阴极层表面制备封装层，所述封装层的制备方法如下：

（a）采用真空蒸镀的方法在阴极层上制备保护层，所述保护层的材质为酞菁铜、N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、8-羟基喹啉铝、一氧化硅、氟化镁和硫化锌中的一种；

（b）通过原子层沉积的方式在保护层上制备无机阻挡层，所述无机阻挡层的材质为碱土金属氧化物；

（c）采用先旋涂后曝光的方法在聚对苯二甲酸乙二酯膜上制备有机硅化合物层，所述有机硅化合物层的材质为聚[(3-(二（三氟甲基）(甲氧基)硅基)丙基)二（三氟甲基）(甲基)硅烷]、聚[(3-(二（五氟乙基）(甲氧基)硅基)丙基)二（五氟乙基）(甲基)硅烷]和聚[(3-(二（七氟丙基）(甲氧基)硅基)丙基)二（七氟丙基）(甲基)硅烷]中的一种；

（d）聚对苯二甲酸乙二酯膜的覆盖：

将步骤（c）所得的覆有有机硅化合物层的聚对苯二甲酸乙二酯膜置于步骤（b）所述的无机阻挡层表面上，然后在所述聚对苯二甲酸乙二酯膜层的边缘涂布环氧树脂封装胶，采用紫外光固化的方式干燥硬化封装胶，将所述有机发光功能层、阴极层、保护层、无机阻挡层和有机硅化合物层封装在所述聚对苯二甲酸乙二酯膜及阳极导电基板形成的封闭空间内，得到有机电致发光器件。

4.如权利要求3所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤（a）中所述保护层的厚度为200nm～300nm，步骤（b）中所述无机阻挡层的厚度为15nm～20nm。

5.如权利要求3所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤（a）中所述真空蒸镀工艺采用的真空度为8×10^-5Pa～3×10^-5Pa，蒸发速度为

6.如权利要求3所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤（b）中所述原子层沉积过程采用双（乙基环戊二烯）碱土金属化合物和水蒸气作为前驱物，N₂作为载送气体；所述双（乙基环戊二烯）碱土金属化合物的结构通式如A所示：

其中，M为碱土金属。

7.如权利要求3所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤（b）中所述原子层沉积过程的工艺参数为：控制双（乙基环戊二烯）碱土金属化合物和水蒸气的注入时间均为10～20ms，两者之间间隔5～10s的N₂，所述双（乙基环戊二烯）碱土金属化合物、水蒸气和N₂的流量均为10～20sccm，控制工作压强为10～50Pa，沉积温度为40～60℃。