[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，包括阳极导电基底以及在所述阳极导电基底的表面上依次层叠设置的有机发光功能层、阴极和封装层，其特征在于，所述封装层包括在所述阴极的表面上依次层叠设置的无机阻挡层和有机阻挡层；所述无机阻挡层的材质为氯掺杂的氧化钛、氯掺杂的氧化锆或氯掺杂的氧化铪；所述有机阻挡层的材质为环链烷基硼，所述环链烷基硼的结构式如P所示：其中R¹是相同或相异的碳原子数为1～6的直链烷基、支链烷基或环烷基，l是1～10的整数，m是5～15的整数，n是0～m-1的整数。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述无机阻挡层的厚度为15nm～20nm；所述有机阻挡层的厚度为200nm～300nm。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述无机阻挡层和所述有机阻挡层形成一个封装单元，所述封装层由4～6个所述封装单元层叠而成。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极导电基底为导电玻璃基底、导电金属基底或导电塑料基底。

5.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述导电玻璃基底的材质为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物；

所述导电塑料基底的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚砜醚、聚对萘二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺。

6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机发光功能层包括发光层，以及包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一种。

7.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）首先在洁净的导电基底的表面上制备有机电致发光器件的阳极图形形成阳极导电基底，然后采用真空蒸镀的方法在所述阳极导电基底的表面上依次层叠制备有机发光功能层和阴极；

（2）在所述阴极的表面上制备封装层，所述封装层包括在所述阴极的表面上依次层叠设置的无机阻挡层和有机阻挡层，制备方法如下：

a）无机阻挡层的制备：采用原子层沉积法在所述阴极的表面上制备无机阻挡层，所述原子层沉积的工作压强为10Pa～50Pa，温度为40℃～60℃；所述无机阻挡层的材质为氯掺杂的氧化钛、氯掺杂的氧化锆或氯掺杂的氧化铪；所述沉积无机阻挡层的过程中采用的前驱体为四（二氯甲基胺基）钛、四（二氯甲基胺基）锆或四（二氯甲基胺基）铪中的一种胺基物和水蒸气；所述胺基物的注入时间为0.2s～1s，所述水蒸气的注入时间为20ms～40ms，注入所述胺基物与注入所述水蒸气之间间隔5s～10s注入氮气作为净化气体；所述胺基物、所述水蒸气和所述氮气的流量均为10sccm～20sccm；

b)有机阻挡层的制备：采用磁控溅射的方法在所述无机阻挡层的表面上制备有机阻挡层，所述磁控溅射的真空度为1×10^－5Pa～1×10^－3Pa，加速电压为300V～800V，磁场为50G～200G，功率密度为1W/cm²～40W/cm²；所述有机阻挡层的材质为环链烷基硼，所述环链烷基硼的结构式如P所示：其中R¹是相同或相异的碳原子数为1～6的直链烷基、支链烷基或环烷基，l是1～10的整数，m是5～15的整数，n是0～m-1的整数。

8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述无机阻挡层的厚度为15nm～20nm;所述有机阻挡层的厚度为200nm～300nm。

9.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述无机阻挡层和所述有机阻挡层形成一个封装单元，依次按步骤（a）、（b）顺序交替重复步骤（2）4～6次，制备得到由4～6个所述封装单元重复形成的封装层。

10.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述阳极导电基底为导电玻璃基底、导电金属基底或导电塑料基底。