[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，包括阳极导电基板以及在阳极导电基板表面依次层叠设置的有机发光功能层、金属阴极和封装层，其特征在于，所述封装层包括依次层叠设置的有机阻挡层和无机阻挡层；所述有机阻挡层的材质包括金属酞菁配合物以及掺杂在所述金属酞菁配合物中的酞菁，所述金属酞菁配合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰或酞菁镍；所述无机阻挡层的材质为碱土金属氧化物。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述酞菁在所述有机阻挡层中所占的摩尔分数为1%～5%。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层的厚度为100nm～200nm，所述无机阻挡层的厚度为15nm～20nm。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层和无机阻挡层形成一个结构单元，所述封装层为4～6个结构单元层叠而成。

5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在洁净的导电基板表面制备有机电致发光器件的阳极图形，形成阳极导电基板；

（2）通过真空蒸镀的方式在阳极导电基板表面依次制备有机发光功能层和金属阴极，蒸镀速率为，真空度为1×10^-5Pa～1×10^-3Pa；

（3）在金属阴极表面制备封装层，所述封装层包括依次层叠设置的有机阻挡层和无机阻挡层，所述封装层的制备方法如下：

（a）采用真空蒸镀的方式在金属阴极表面制备有机阻挡层，所述有机阻挡层的材质包括金属酞菁配合物以及掺杂在所述金属酞菁配合物中的酞菁，所述金属酞菁配合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰或酞菁镍；

（b）通过原子层沉积的方式在有机阻挡层上制备无机阻挡层，所述无机阻挡层的材质为碱土金属氧化物。

6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤（a）中所述酞菁在所述有机阻挡层中所占的摩尔分数为1%～5%。

7.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤（a）中所述真空蒸镀工艺采用的真空度为1×10^-5Pa～1×10^-3Pa，蒸镀速率为。

8.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤（a）中所述有机阻挡层的厚度为100nm～200nm，步骤（b）中所述无机阻挡层的沉积厚度为15nm～20nm。

9.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤（b）中所述原子层沉积过程的工艺参数为：采用双（乙基环戊二烯）碱土金属化合物和水蒸气作为前驱物，N₂作为载送气体；控制双（乙基环戊二烯）碱土金属化合物和水蒸气的注入时间均为10～20ms，两者之间间隔5～10s的N₂，所述双（乙基环戊二烯）碱土金属化合物、水蒸气和N₂的流量均为10～20sccm，控制工作压强为10～50Pa，沉积温度40～60℃；所述双（乙基环戊二烯）碱土金属化合物的结构通式如A所示：

A：其中，M为碱土金属。

10.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述有机阻挡层和无机阻挡层形成一个结构单元，在步骤（b）后依次按步骤（a）、（b）顺序交替重复步骤（3）4～6次，制备得到4～6个所述结构单元重复形成的封装层。