[发明专利]一种快速估算集成电路良率的计算方法

权利要求书

1.一种快速估算集成电路良率的计算方法，其特征在于，包括以下步骤：

确定正交化参数变量：根据待分析集成电路中电路单元内的元件或者关键元件确定输入的原始参数变量并正交化，所述参数变量的个数Y根据对电路特性有一定影响程度的工艺参数的数量确定；

确定采样半径r_max：由归一化高斯分布的原始采样点确定r_max，使其在Y维空间的chi分布的累积分布函数值等于设定的采样精度；

获得采样点：在半径为r_max的超球体内获取均匀分布的复数M个采样点；

计算失效概率：基于M个采样点计算所述电路单元的失效概率。

2.根据权利要求1所述计算方法，其特征在于，所述获得采样点步骤重复进行M次以下均匀采样计算：

从Y维空间中取得一个遵循高斯分布的采样点向量X：X=(x₁,x₂,...,x_Y)，x_i～N(0,1)，其中：N()是高斯分布函数，自然数i∈[1，Y]；

生成X到中心原点的距离r：并赋给X，||X||是X的模，u是0到1之间的均匀随机分布的采样。

3.根据权利要求1所述计算方法，其特征在于，所述计算失效概率步骤是在计算所有M个采样点向量X_j的概率密度函数w_j后求取w_j的平均值，包括：

301）计算所有采样点X_j到中心的欧式距离d_j，自然数j∈[1，M]；

302）根据d_j求得该距离在chi分布中的概率密度g_j(d)和在原始的高斯分布中的概率密度p_j(d)；

303）计算加权的概率密度函数w_j：w_j=p_j(d)/g_j(d)。

4.根据权利要求1所述计算方法，其特征在于，待分析集成电路包括复数个相同电路单元。

5.根据权利要求1-4所述计算方法，其特征在于，所述正交化参数变量是原本互不相关的原始参数变量。

6.根据权利要求1-4所述计算方法，其特征在于，所述参数变量是待分析集成电路内电路单元中晶体管的阈值电压、迁移率、沟道长度或饱和速度等重要的工艺参数。