[发明专利]一种耐腐蚀薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310552861.6 申请日: 2013-11-07
公开(公告)号: CN103614696A 公开(公告)日: 2014-03-05
发明(设计)人: 陈路玉 申请(专利权)人: 中山市创科科研技术服务有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/16;C03C17/36
代理公司: 中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 44286 代理人: 吴剑锋
地址: 528400 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 腐蚀 薄膜 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种耐腐蚀薄膜的制备方法。

背景技术

低辐射玻璃是指对红外辐射具有高反射率,对可见光具有良好透射率的平板镀膜玻璃。低辐射玻璃具有良好的透光、保温、隔热性能,广泛应用于窗户、炉门、冷藏柜门等地方。

目前市场上较常见的低辐射玻璃有单银低辐射玻璃、双银低辐射玻璃、热控低辐射玻璃及钛基低辐射玻璃等。现有的这四种低辐射玻璃在380~780纳米的可见光波长范围内透射率不够高,仅为50%左右;在红外辐射波长范围内透射率较高,尤其是在900~1100纳米的波长范围内透射率为10~20%之间。另外,这些玻璃的耐磨性通常不够优良。

而且现有的透明基材的耐腐性和耐热性相对较差,故此,现有的透明基材有待于进步完善。

发明内容

本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处,提供一种工艺简单,操作方便,生产成本相对较低的耐腐蚀薄膜的制备方法。

为了达到上述目的,本发明采用以下方案:

一种耐腐蚀薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:

A、采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射Bi平面靶,在透明耐热基板上磁控溅射Bi2O3层;

B、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶,在步骤A中Bi2O3层上磁控溅射TiOx层;

C、采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射铬平面靶,在步骤B中的TiOx层上磁控溅射CrNx层;

D、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射铜平面靶,在步骤C中的CrNx层上磁控溅射Cu层;

E、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射NiCr合金平面靶,在步骤D中的Cu层上磁控溅射NiCr层;

F、采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,交流电源溅射ZnSn合金旋转靶,在步骤E中的NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层。

如上所述的一种耐腐蚀薄膜的制备方法,其特征在于步骤A中所述Bi2O3层的厚度为10~15nm,氧气与氩气的体积比为1:2,所述直流电源的溅射功率为15~20KW。

如上所述的一种耐腐蚀薄膜的制备方法,其特征在于步骤B中所述TiOx层的厚度为10~15nm,所述交流电源的溅射功率50~75KW。

如上所述的一种耐腐蚀薄膜的制备方法,其特征在于步骤C中所述CrNx层的厚度为3~5nm,所述氮气与氩气的体积比为1:2,所述的直流电源的溅射功率3~6KW。

如上所述的一种耐腐蚀薄膜的制备方法,其特征在于步骤D所述Cu层的厚度为10~20nm,所述直流电源的溅射功率3~6KW。

如上所述的一种耐腐蚀薄膜的制备方法,其特征在于步骤E中所述NiCr层的厚度为3~5nm,所述NiCr合金中Ni:Cr的摩尔比21:79,所述直流电源的溅射功率3~5KW。

如上所述的一种耐腐蚀薄膜的制备方法,其特征在于F中所述ZnSnO3层的厚度为20~30nm,所述ZnSn合金旋转靶中Zn:Sn的摩尔比48:52,所述氩气与氧气的体积比为1:2,所述交流电源的溅射功率为50~75KW。

如上所述的一种耐腐蚀薄膜的制备方法,其特征在于透明耐热基板为透明玻璃。

综上所述,本发明的有益效果:

本发明工艺方法简单,操作方便,生产成本相对较低。产品抗腐蚀性强、生产过程中对基板洁净程度要求不高,本发明产品透光率T≥65%,辐射率E≤0.15。

具体实施方式

下面结合具体实施方式对本发明做进一步描述:

实施例1

本发明一种耐腐蚀薄膜的制备方法,包括以下步骤:

A、采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射Bi平面靶,在透明耐热基板上磁控溅射Bi2O3层;其中所述Bi2O3层的厚度为10nm,氧气与氩气的体积比为1:2,即氧气:氩气=500sccm:1000sccm,所述直流电源的溅射功率为15KW,其中所述透明耐热基板为透明玻璃;

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