[发明专利]一种耐腐蚀薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201310552861.6 | 申请日： | 2013-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103614696A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 陈路玉 | 申请（专利权）人： | 中山市创科科研技术服务有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/16;C03C17/36 |
| 代理公司： | 中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 44286 | 代理人： | 吴剑锋 |
| 地址： | 528400 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 腐蚀 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种耐腐蚀薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Bi平面靶，在透明耐热基板上磁控溅射Bi2O3层；
B、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在步骤A中Bi2O3层上磁控溅射TiOx层；
C、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射铬平面靶，在步骤B中的TiOx层上磁控溅射CrNx层；
D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射铜平面靶，在步骤C中的CrNx层上磁控溅射Cu层；
E、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射NiCr合金平面靶，在步骤D中的Cu层上磁控溅射NiCr层；
F、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤E中的NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层。
2.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀薄膜的制备方法，其特征在于步骤A中所述Bi2O3层的厚度为10～15nm，氧气与氩气的体积比为1：2，所述直流电源的溅射功率为15～20KW。
3.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀薄膜的制备方法，其特征在于步骤B中所述TiOx层的厚度为10～15nm，所述交流电源的溅射功率50～75KW。
4.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀薄膜的制备方法，其特征在于步骤C中所述CrNx层的厚度为3～5nm，所述氮气与氩气的体积比为1：2，所述的直流电源的溅射功率3～6KW。
5.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀薄膜的制备方法，其特征在于步骤D所述Cu层的厚度为10～20nm，所述直流电源的溅射功率3～6KW。
6.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀薄膜的制备方法，其特征在于步骤E中所述NiCr层的厚度为3～5nm，所述NiCr合金中Ni:Cr的摩尔比21:79，所述直流电源的溅射功率3～5KW。
7.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀薄膜的制备方法，其特征在于F中所述ZnSnO3层的厚度为20～30nm，所述ZnSn合金旋转靶中Zn:Sn的摩尔比48:52，所述氩气与氧气的体积比为1：2，所述交流电源的溅射功率为50～75KW。
8.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀薄膜的制备方法，其特征在于透明耐热基板为透明玻璃。
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