[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法在审
申请号: | 201310549227.7 | 申请日: | 2013-11-06 |
公开(公告)号: | CN104638154A | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 周明杰;黄辉;张娟娟;王平 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下,电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO),而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子,激子在电场作用下迁移,将能量传递给发光材料,并激发电子从基态跃迁到激发态,激发态能量通过辐射失活,产生光子,释放光能。
传统的有机电致发光器件的阴极一般为银(Ag)、金(Au)等金属,制备后阴极极易渗透到有机层,对有机层造成破坏,电子在阴极附近容易淬灭,从而发光效率较低。
发明内容
基于此,有必要提供一种发光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件,包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极,所述阴极层由有机电子传输材料层,铼的氧化物掺杂层和金属掺杂层组成,所述有机电子传输材料层材料的HOMO能级为-6.5eV~-7.5eV,玻璃化转变温度为50℃~100℃,所述铼的氧化物掺杂层包括铼的氧化物及掺杂在所述铼的氧化物中的钝化材料,所述铼的氧化物选自七氧化二铼、二氧化铼、三氧化铼和三氧化二铼中至少一种,所述钝化材料选自二氧化硅、氧化铝、氧化镍和氧化铜中至少一种,所述金属掺杂层包括金属及掺杂在所述金属中的锌的化合物,所述金属材料的功函数为-4.0eV~-5.5eV,所述锌的化合物选自氧化锌、硫化锌、硒化锌和氯化锌中至少一种。
所述有机电子传输材料选自1,2,4-三唑衍生物、2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲和2,8-二(二苯膦氧基)二苯并[b,d]噻吩中至少一种,所述金属材料选自银、铝、铂和金中至少一种。
所述铼的氧化物掺杂层中所述铼的氧化物与钝化材料的质量比为5:1~15:1,所述金属掺杂层中所述金属材料与所述锌的化合物的质量比为10:1~30:1。
所述有机电子传输材料层厚度为100nm~200nm,铼的氧化物掺杂层厚度为50nm~100nm,所述金属掺杂层厚度为100nm~300nm。
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
在阳极表面依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层;及
在电子注入层表面通过热阻蒸镀的方法制备有机电子传输材料层,所述有机电子传输材料层材料的HOMO能级为-6.5eV~-7.5eV,玻璃化转变温度为50℃~100℃,接着在所述有机电子传输材料层表面通过电子束方式制备铼的氧化物掺杂层,所述铼的氧化物掺杂层包括铼的氧化物及掺杂在所述铼的氧化物中的钝化材料,所述铼的氧化物选自七氧化二铼、二氧化铼、三氧化铼和三氧化二铼中至少一种,所述钝化材料选自二氧化硅、氧化铝、氧化镍和氧化铜中至少一种,通过电子束蒸镀的方式在所述铼的氧化物掺杂层表面蒸镀制备所述金属掺杂层,所述金属掺杂层包括金属及掺杂在所述金属中的锌的化合物,所述金属材料的功函数为-4.0eV~-5.5eV,所述锌的化合物选自氧化锌、硫化锌、硒化锌和氯化锌中至少一种。
所述有机电子传输材料选自1,2,4-三唑衍生物、2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲和2,8-二(二苯膦氧基)二苯并[b,d]噻吩中至少一种,所述金属材料选自银、铝、铂和金中至少一种。
所述铼的氧化物掺杂层中所述铼的氧化物与钝化材料的质量比为5:1~15:1,所述金属掺杂层中所述金属材料与所述锌的化合物的质量比为10:1~30:1。
所述有机电子传输材料层厚度为100nm~200nm,铼的氧化物掺杂层厚度为50nm~100nm,所述金属掺杂层厚度为100nm~300nm。
所述热阻蒸镀方式的具体工艺条件为:工作压强为2×10-3Pa~5×10-5Pa,工作电流为1A~3A,有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s~1nm/s,金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s~10nm/s。
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