[发明专利]保护膜形成用溅射靶及层叠配线膜

说明书

技术领域

本发明涉及一种在形成对由铜或铜合金构成的Cu配线膜进行保护的保护膜之时使用的保护膜形成用溅射靶及具备通过该保护膜形成用溅射靶来形成的保护膜的层叠配线膜。

背景技术

以往，Al广泛用作液晶、有机EL板等平板显示器以及触控面板等的配线膜。近来逐步实现了配线膜的微型化（窄幅化）及薄膜化，要求比电阻比以往更低的配线膜。

随着上述配线膜的微型化及薄膜化，提供一种利用比电阻比Al更低的材料即铜或铜合金的配线膜。

然而，由比电阻较低的铜或铜合金构成的Cu配线膜存在在具有湿度的气氛中容易变色等问题。另外，为了提高耐候性而使用含有大量添加元素的铜合金时会导致比电阻上升。

因此，例如在专利文献1中提出在Cu配线膜上形成由Ni-Cu-（Cr，Ti）合金构成的保护膜的层叠膜及用于形成该保护膜的溅射靶。该保护膜的耐候性比铜高，因此，即使在大气中保管也能够抑制表面变色。

专利文献1：日本特开2012-193444号公报

然而，通过蚀刻对由铜或铜合金构成的Cu配线膜进行图案形成时，使用含有氯化铁的蚀刻液。使用含有氯化铁的蚀刻液来对具有由上述Ni-Cu-（Cr，Ti）合金构成的保护膜的层叠膜进行蚀刻时，会有一部分未溶解的保护膜变成残渣而残留。该残渣有可能会导致配线间短路，因此难以用作配线膜。

并且，含有Cr时，存在蚀刻之后的废液中含有Cr而导致处理废液成本增加的问题。

此外，由于含有35质量%以上且84.5质量%以下的大量的较昂贵的Ni，存在增加溅射靶及层叠膜的制造成本的问题。

并且，对形成于基板上的上述层叠膜进行蚀刻时，蚀刻之后的配线截面形状有时会变成矩形或向基板侧变细的倒锥形。如此，蚀刻之后的配线截面形状变成矩形或倒锥形时，具有在Cu配线膜的边缘部产生叫做空隙的缺陷，且在逐渐叠层时诱发断线而引起成品率及质量下降的可能性。

发明内容

该发明鉴于上述情况而完成，其目的在于提供一种能够形成如下保护膜的保护膜形成用溅射靶以及具备通过该保护膜形成用溅射靶来成膜的保护膜的层叠配线膜，所述保护膜耐候性优异且能够抑制表面变色，并具有良好的蚀刻性，形成于基板上的层叠膜的蚀刻之后的截面形状成为向基板侧变粗的正锥形并能够抑制空隙的产生。

（1）本发明的一方式的保护膜形成用溅射靶为在Cu配线膜的单面或两面形成保护膜时使用的保护膜形成用溅射靶，其中，Al为8.0质量%以上11.0质量%以下、Fe为3.0质量%以上5.0质量%以下、Ni为0.5质量%以上2.0质量%以下、Mn为0.5质量%以上2.0质量%以下，余量由Cu和不可避免杂质构成。

被设为这种结构的本发明的保护膜形成用溅射靶中，设为Al为8.0质量%以上11.0质量%以下、Fe为3.0质量%以上5.0质量%以下、Ni为0.5质量%以上2.0质量%以下、Mn为0.5质量%以上2.0质量%以下，余量由Cu和不可避免杂质构成的Cu基合金，因此，即使在利用含有氯化铁的蚀刻液对所形成的保护膜进行蚀刻时，也能够与Cu配线膜同等地进行蚀刻，抑制未溶解残渣的产生。另外，能够将进行蚀刻之后的配线截面的形状设为正锥形。

并且，由于Ni的含量较少为0.5质量%以上2.0质量%以下，因此能够大幅降低该溅射靶及保护膜的制造成本。

（2）在本发明的另一方式中，层叠配线膜为具备Cu配线膜及形成于该Cu配线膜的单面或两面上的保护膜的层叠配线膜，其中，所述保护膜通过（1）所记载的保护膜形成用溅射靶来形成。

被设为这种结构的本发明的层叠配线膜中，具有通过上述组成的保护膜形成用溅射靶来形成的保护膜，因此耐候性得到提高，并且即使在大气中保管时也能够抑制变色。

并且，保护膜由Cu基合金构成，因此，即使用含有氯化铁的蚀刻液进行蚀刻时，也能够抑制未溶解残渣的产生。并且，能够将蚀刻之后的配线截面设为正锥形，并能够抑制空隙的产生。

此外，由于不具有Cr，因此能够以低成本对蚀刻之后的废液进行处理。另外，由于Ni的含量较少为0.5质量%以上2.0质量%以下，因此能够大幅降低层叠配线膜的制造成本。

如上所述，根据本发明能够提供一种能够形成如下保护膜的保护膜形成用溅射靶以及具备通过该保护膜形成用溅射靶来形成的保护膜的层叠配线膜，所述保护膜耐候性优异且能够抑制表面变色，并具有良好的蚀刻性，蚀刻之后的截面形状成为正锥形，并且能够抑制空隙的产生。

附图说明

图1是作为本发明的一实施方式的层叠配线膜的截面说明图。