[发明专利]LDMOS器件及制造方法在审
| 申请号： | 201310542163.8 | 申请日： | 2013-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN104617139A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 郭振强;陈瑜;邢超 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 制造 方法 | ||
1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：
形成于硅衬底中的第一导电类型深阱，所述第一导电类型深阱覆盖于整个LDMOS器件的形成区域；
在所述第一导电类型深阱上方形成有第二导电类型阱，所述第二导电类型阱的底面和所述第一导电类型深阱顶面相接触，所述第二导电类型阱的顶面延伸到所述硅衬底表面；所述第二导电类型阱是在整个所述LDMOS器件的形成区域进行离子注入形成的阱区；
第一导电类型阱，所述第一导电类型阱位于所述第二导电类型阱的部分区域中，所述第一导电类阱的底面和所述第一导电类型深阱的顶面接触；
第一导电类型漂移层，所述第一导电类型漂移层覆盖在所述第一导电类型阱的顶面并延伸到所述第一导电类型阱的周侧的所述第二导电类型阱的表面，且延伸到所述第一导电类型阱的周侧的所述第一导电类型漂移层的侧面和底面都和所述第二导电类型阱相接触；所述第一导电类型漂移层的结深小于所述第一导电类型阱的结深，所述第一导电类型漂移层的掺杂浓度大于所述第一导电类型阱的掺杂浓度；
栅极结构，包括依次形成于所述硅衬底表面的栅介质层和多晶硅栅；所述栅极结构覆盖部分所述第二导电类型阱表面并延伸到所述第一导电类型漂移层表面上，被所述栅极结构所覆盖的所述第二导电类型阱表面用于形成沟道；
第一导电类型掺杂的源区，形成于所述第二导电类型阱表面并和所述栅极结构的一侧自对准；
第一导电类型掺杂的漏区，形成于所述第一导电类型漂移层表面并和所述栅极结构的另一侧相隔一段距离；
由位于所述漏区到所述栅极结构下方的所述第一导电类型漂移层的侧面和所述第二导电类型阱相接触面之间的所述第一导电类型漂移层、所述第二导电类型阱、所述第一导电类型深阱和所述第一导电类型阱组成漂移区；
所述漂移区中的所述第一导电类型漂移层、所述第二导电类型阱和所述第一导电类型深阱形成一个横向超级结结构，在所述漏区接反向偏压时，所述横向超级结结构完全耗尽，并在保证所述横向超级结结构完全耗尽的条件下，所述第一导电类型漂移层的掺杂浓度越高所述LDMOS器件的导通电阻越小。
2.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述LDMOS器件为N型器件，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。
3.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述LDMOS器件为P型器件，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。
4.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述第一导电类型漂移层采用离子注入工艺形成，所述第一导电类型漂移层的离子注入的注入剂量为1.4E13cm-2～2E13cm-2。
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