[发明专利]用于薄层太阳能电池的附加的底层

权利要求书

1.一种用于制造薄层太阳能电池的半成品的方法，其特征在于下述步骤：

a.提供具有前接触层或者前接触层序列的透明的衬底，

b.将增附层施加到所述前接触层或者前接触层序列上，其中，所述增附层具有碲、碲化镉、硒、硒化镉或者它们的混合物，并且

c.将由纯的或者经改性的CdS组成的层施加到所述增附层上。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，用CSS法施加所述由纯的或者经改性的CdS组成的层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤b.和c.在一系列带有共同的传输系统的真空室内实施。

4.薄层太阳能电池，其至少具有下述层：

a.透明的衬底，

b.前接触层或者前接触层序列，

c.由纯的或者经改性的CdS组成的层，

d.CdTe层，

e.背接触层或者背接触层序列，

其特征在于，在前接触层或者前接触层序列与所述由纯的或者经改性的CdS组成的层之间布置有起增附作用的层，其中，所述起增附作用的层具有碲、碲化镉、硒、硒化镉或者它们的混合物。

5.根据权利要求4所述的薄层太阳能电池，其特征在于，所述起增附作用的层具有小于10nm的厚度。

6.根据权利要求4所述的薄层太阳能电池，其特征在于，所述起增附作用的层是单层。