[发明专利]半导体器件

说明书

（相关申请）

本申请享受以日本专利申请2013-130030（申请日：2013年6月20日）为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含该基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体器件。

背景技术

作为例如具有上下电极结构的MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）的半导体芯片，为了构成半导体器件，用铜连接器等与引线框、外部电极端子连接。此时，如果为了提高产品的部件效率，使用具有相同的大小、形状的铜连接器，则连接面积因半导体芯片的大小而异。如果对于半导体芯片的大小不能充分确保铜连接器的连接面积，则会产生外部电极与半导体芯片的连接电阻变大的问题。

发明内容

本发明要解决的问题是，提供可以降低外部电极与半导体芯片之间产生的连接电阻的半导体器件。

实施方式的半导体器件具有：半导体芯片，具有电极；连接器，具有芯片连接面、中间连接部和外部电极端子连接面，把上述电极与上述芯片连接面电连接；以及第1连接部件，比上述芯片连接面的面积大，设置在上述芯片连接面与上述电极之间。

附图说明

图1是根据实施方式1的半导体器件1a的立体图。

图2是示出沿图1的A-A’线的剖面的剖面图。

图3是根据实施方式2的半导体器件1b的立体图。

图4是示出沿图3的B-B’线的剖面的剖面图。

图5是根据实施方式3的半导体器件1c的立体图。

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明的实施方式。实施方式中的说明中使用的图，是为了使说明容易的示意图，图中的各要素的形状、尺寸、大小关系等在实际实施时不必限于图中所示，在得到本发明的效果的范围内可以适宜变更。

用图1和图2说明根据本发明的实施方式1的半导体器件1a的结构。图1示出根据实施方式1的半导体器件1a的立体图，图2示出示出沿图1的A-A’线的剖面的剖面图。另外，在图1中，示出省略了树脂3的立体图。

半导体器件1a具有半导体芯片2、树脂3、引线框100、源极端子103和连接器200。半导体芯片2是例如具有上下电极结构的MOSFET。半导体芯片2为MOSFET时，上下电极为源极电极和漏极电极。在本实施方式中，半导体芯片2以MOSFET进行说明，但即使是绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor；IGBT）也可以实施。

引线框100由接头101和漏极端子102构成。像图2所示的那样，多个漏极端子102从接头101延伸设置，具有连接半导体芯片2和外部电源的作用。在接头101上，以与半导体芯片2的漏极电极（未图示）相接的方式，经由焊锡10（第1连接部件）设置半导体芯片2。即，露出源极电极11地把半导体芯片2固定在引线框100上。

然后，在源极电极11上经由焊锡10连接连接器200。连接器200像图1和图2所示的那样，例如以芯片连接面201、引线框连接面202和中间连接部203相连的形状构成。中间连接部203位于芯片连接面201 和引线框连接面202之间，把芯片连接面201和引线框连接面202电连接。与源极电极11连接的是芯片连接面201。

芯片连接面201与源极电极11连接时，焊锡10的涂敷面积在源极电极11上设置成比芯片连接面201的面积大。即，在源极电极11的大致整个表面上设置有焊锡10。

连接器200的引线框连接面202经由焊锡10与源极端子103连接。引线框连接面202具有连接半导体芯片2和外部电源的作用。

然后，除去漏极端子102和源极端子103的一部分，通过例如环氧树脂等的树脂3把半导体芯片2、引线框100、连接器200和源极端子103封装起来。此时，像图2所示的那样，以例如露出引线框100和源极端子103的下表面的方式进行封装。半导体器件1a具有以上那样的结构。

引线框100和连接器200中使用例如铜（Cu）等，但即使是金（Au）、与其它金属的合金也可以实施。另外，焊锡10以铅（Pb）和锡（Sn）为主要成分，但即使该焊锡10是无铅焊锡也可以实施。在无铅焊锡的情况下，使用银（Ag）与锡的合金、银与铜的合金、或银与金的合金等。