[发明专利]应用于照明装置的有机发光二极管组件

说明书

技术领域

本发明涉及一种有机发光二极管组件，且特别涉及一种应用于照明装置的有机发光二极管组件。

背景技术

现有的应用于显示器的有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode，简称OLED）组件的制造过程中，大多利用有机高分子层形成凹凸结构（一般称为bank structure），来定义出特定的发光区域，以避免漏电、短路等问题。

如图1所示的剖面示意图可看出，两相邻凸起结构106之间为凹槽108，有机半导体层110形成于凹槽108中，且配置于第一透明电极104与第二电极114之间。凸起结构106与有机半导体层110将第一透明电极104与第二电极114相互隔开，以避免短路问题。然而凸起结构106的存在，却也因此减少了可发光的面积并降低了开口率（Aperture Ratio）。此外，凹凸结构的制程也相对增加了制程成本。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种可应用于照明装置的有机发光二极管组件，以简化制程、增加组件的发光面积并提升开口率，以及避免漏电与短路现象。

一种应用于照明装置的有机发光二极管组件，包括：一基板；一图案化阳极层，配置于该基板上；一有机半导体层，覆盖在该图案化阳极层的上表面、侧壁与该基板上，其中该有机半导体层的厚度大于该图案化阳极层厚度的三倍；以及一阴极层，覆盖在该有机半导体层上。

在本发明的一个具体实施方案中，该图案化阳极层包含一第一阳极层与一第二阳极层，并排配置于该基板上，该有机半导体层还覆盖在该第一阳极层与该第二阳极层间的该基板的表面上。

在本发明的一个具体实施方案中，该第一阳极层与该第二阳极层的间距大于3微米。

在本发明的一个具体实施方案中，该第一阳极层与该第二阳极层的间距介于3～10微米之间。

在本发明的一个具体实施方案中，该有机半导体层的厚度介于150～300纳米之间，且该图案化阳极层的厚度介于40～60纳米之间。

在本发明的一个具体实施方案中，该有机半导体层至少包括一电洞注入层、一电洞传输层、一发光层、一电子传输层与一电子注入层。

在本发明的一个具体实施方案中，该图案化阳极层为一透明导电层。

在本发明的一个具体实施方案中，该基板为一透明基板。

本发明有益效果是，本发明是利用阳极层与有机半导体层的相对厚度比例的设计以提高有机半导体层的阶梯覆盖率（step coverage），以避免可能产生的边缘漏电问题并取代传统的需设置凹凸结构的有机发光二极管组件，以提升组件良率并提升有机发光二极管组件的发光面积。此外，本发明也通过两相邻阳极层之间距设计，来避免制程中的杂质沾附可能导致的短路问题。因此本发明除了可简化应用于照明装置的有机发光二极管组件的制程之外，也能提高组件良率，并提升有机发光二极管照明装置的发光效率。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明

图1为现有的具有凹凸结构（一般称为bank structure)）的有机发光二极管组件结构的示意图。

图2为本发明的一实施例的应用于照明装置的有机发光二极管组件的结构示意图。

图3A为本发明的另一实施例的应用于照明装置的有机发光二极管组件的结构示意图。

图3B为在本发明的另一实施例中，当杂质沾附于基板时的剖面结构示意图。

图4A为本发明的另一实施例的应用于照明装置的有机发光二极管组件的结构示意图。

图4B为图4A的结构俯视图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对本发明的具体实施例、结构、特征及其功效，详细说明如后。