[发明专利]新型磁控形状记忆合金多场耦合力学性能测试平台

权利要求书

1.一种新型磁控形状记忆合金多场耦合力学性能测试平台，其特征在于，包括：底座；

下固定工装，所述的下固定工装包括设置于所述的底座上的下固定安装座及第一支座，所述的第一支座上设有与所述的下固定安装座间隙配合的孔一，所述的下固定安装座穿过所述的孔一；

磁场产生组件，所述的磁场产生组件包括设置于所述的第一支座上的铁芯和缠绕在所述铁芯上的绕组，所述的铁芯包括固定铁芯与活动铁芯，所述的固定铁芯与活动铁芯之间形成第一间隙，所述的绕组包括偏置绕组和控制绕组，所述的偏置绕组缠绕在所述的固定铁芯上，所述的控制绕组缠绕在所述的活动铁芯上；

上固定工装，所述的上固定工装包括上固定安装座及第二支座，所述的第二支座上设有与所述的上固定安装座间隙配合的孔二，所述的上固定安装座穿过所述的孔二，所述的第二支座设置于所述的铁芯上，所述的上固定安装座与下固定安装座设置于所述的固定铁芯与活动铁芯形成的第一间隙的两端；

传感测量组件，所述的传感测量组件包括形变测量装置、磁场测量装置、力传感器及温度测量装置，所述的形变测量装置包括设置于所述第二支座上的微位移传感器和设置于所述上固定安装座上的位移反馈件，所述的磁场测量装置为设置于所述的第一间隙所在的铁芯上的霍尔传感器，所述的力传感器设置于所述下固定安装座的下面，所述的温度测量装置为设置于所述的第一间隙所在的铁芯上的温度传感器；

外壳，所述的外壳上设有供所述的上固定安装座穿过的孔三，所述的外壳设置于所述的底座上。

2.根据权利要求1所述的新型磁控形状记忆合金多场耦合力学性能测试平台，其特征在于，还包括压力加载装置，所述的压力加载装置包括气缸、电磁换向阀及压力可调的气源，所述的气缸的活塞与所述的上固定安装座的顶端相连，所述的电磁换向阀的一端与所述的气缸的无杆腔相连，所述的电磁换向阀的另一端与所述的压力可调的气源相连，所述的电磁换向阀具有使整个气路连通的第一状态及使整个气路断开的第二状态。

3.根据权利要求1或2所述的新型磁控形状记忆合金多场耦合力学性能测试平台，其特征在于，所述的固定铁芯与活动铁芯形成含有所述第一间隙的方形，所述的偏置绕组与控制绕组缠绕于所述的方形的无间隙的对边上，所述的固定铁芯与所述的活动铁芯在所述的方形的第三条无间隙的边上通过移动组件活动连接，所述的移动组件包括设置于所述的固定铁芯上的滑道和设置于所述的活动铁芯上与所述滑道相配合的滑块。

4.根据权利要求3所述的新型磁控形状记忆合金多场耦合力学性能测试平台，其特征在于，所述的移动组件还包括位移调整装置，所述的位移调整装置包括设置于所述固定铁芯上的具有镙孔的挡板和与所述的镙孔相配合的镙钉，所述的镙钉穿过所述的镙孔，所述镙钉上的非头端与所述的滑块相接触。

5.根据权利要求3所述的新型磁控形状记忆合金多场耦合力学性能测试平台，其特征在于，还包括水冷温控装置，所述的水冷温控装置为内设两端贯通的空腔的箱体结构，所述的固定铁芯与活动铁芯的非连接端穿过所述的空腔，所述的箱体结构的箱壁中设有流通管路、外壁上设有进口与出口，所述的进口、流通管路及出口相连通。

6.根据权利要求1或2所述的新型磁控形状记忆合金多场耦合力学性能测试平台，其特征在于，还包括限位装置，所述的限位装置包括限位块和第三支座，所述的第三支座上设有与所述的上固定安装座间隙配合的孔四，所述的上固定安装座穿过所述的孔四，所述的限位块设置于所述的上固定安装座上，包含有所述的限位块的固定安装座的端面的最大径向值大于所述的孔四的孔径。

7.根据权利要求4所述的新型磁控形状记忆合金多场耦合力学性能测试平台，其特征在于，所述的滑道为截面为T形的凹槽滑道，所述的滑块为与所述的T形凹槽相配合的T形滑块。

8.根据权利要求6所述的新型磁控形状记忆合金多场耦合力学性能测试平台，其特征在于，所述的外壳为隔磁材料，所述的底座、上固定工装、下固定工装及第三支座为非导磁材料。

9.根据权利要求2所述的新型磁控形状记忆合金多场耦合力学性能测试平台，其特征在于，所述的压力加载装置还包括压力表和溢流阀，所述的压力表设置于所述的气缸与电磁换向阀之间，所述的溢流阀设置于所述的压力可调的气源的一端，所述的电磁换向阀为二位二通电磁换向阀。

10.根据权利要求1所述的新型磁控形状记忆合金多场耦合力学性能测试平台，其特征在于，所述的上固定安装座的底部设置有第一凹槽，所述的下固定安装座的顶部设置有第二凹槽。