[发明专利]显示装置以及电子设备

说明书

本公开涉及显示装置以及电子设备，本发明的目的之一是抑制晶体管的电特性的变动并提高可靠性。本发明的一个方式的显示装置包括：像素部104；以及设置在所述像素部的外侧的驱动电路部106，其中所述像素部包括：像素晶体管252；覆盖所述像素晶体管的包括无机材料的第一绝缘膜124；设置在所述第一绝缘膜上且包括有机材料的第二绝缘膜126；以及设置在所述第二绝缘膜上且包括无机材料的第三绝缘膜130，所述驱动电路部包括：对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管250；覆盖所述驱动晶体管的所述第一绝缘膜；以及形成在所述第一绝缘膜上的所述第二绝缘膜，并且，所述驱动电路部包括在所述第二绝缘膜上没有形成所述第三绝缘膜的区域或所述第二绝缘膜不被所述第三绝缘膜覆盖的区域。

技术领域

本发明涉及一种显示装置以及一种电子设备。

背景技术

近年来，对使用液晶面板的显示装置或使用有机EL面板的显示装置的研究开发日益火热。这种显示装置被粗分为如下两种：一是，只将像素控制用晶体管(像素晶体管)形成在衬底上，而扫描电路(驱动电路)被包括在外围IC中的显示装置；二是，将像素晶体管和扫描电路都形成在同一衬底上的显示装置。

为了实现显示装置的窄边框化或外围IC的成本降低，使用驱动电路整合型显示装置是较有效的。但是，用于驱动电路的晶体管的电特性需要高于用于像素晶体管的晶体管的电特性(例如，场效应迁移率(μFE)或阈值电压等)。

作为能够应用于晶体管的半导体薄膜，硅类半导体材料被广泛地周知。此外，作为其他材料，氧化物半导体引人注目(例如，专利文献1、2)。例如，作为用于晶体管的半导体薄膜，使用其电子载流子浓度低于10¹⁸/cm³且包含铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的非晶氧化物的晶体管引人注目。

因为将氧化物半导体用于半导体层的晶体管的场效应迁移率高于将作为硅类半导体材料的非晶硅用于半导体层的晶体管，所以其工作速度快，适合用于驱动电路整合型显示装置，并且其制造工序比将多晶硅用于半导体层的晶体管更容易。

但是，将氧化物半导体用于半导体层的晶体管有如下问题：氢、水分等杂质侵入氧化物半导体而导致载流子的产生，使得该晶体管的电特性中之一的阈值电压变动。

[专利文献1]日本专利申请公开2007-123861号公报

[专利文献2]日本专利申请公开2007-096055号公报

为了充分地保持在氧化物半导体层形成沟道的晶体管的电特性，重要的是：从该氧化物半导体层尽量去除氢、水分等。

特别是，当将在氧化物半导体层形成沟道的晶体管用于显示装置的像素部和设置在该像素部的外侧的驱动电路部的双方时，虽然根据驱动方法而不同，但是因为用于驱动电路部的晶体管的电负荷大于用于像素部的晶体管，所以用于驱动电路部的晶体管的电特性很重要。

此外，在将在氧化物半导体层形成沟道的晶体管用于像素部及驱动电路部的显示装置中，当进行高温高湿环境下的可靠性测试时产生的用于驱动电路部的晶体管(也称为驱动晶体管)的劣化成为问题。该驱动晶体管劣化的原因是：可能从为了减少晶体管的凹凸设置的有机材料释放出的水分等不能释放到外部而进入氧化物半导体层，使得该氧化物半导体层的载流子密度增高。

此外，上述驱动晶体管劣化的其他原因之一是因为从显示装置外部侵入的水分进入驱动晶体管的氧化物半导体层。

发明内容

于是，本发明的一个方式的课题之一是：在将在氧化物半导体层形成沟道的晶体管用于像素部及驱动电路部的显示装置中，抑制该晶体管的电特性的变动并提高可靠性。特别是，本发明的一个方式的课题之一是：防止氢、水分进入用于驱动电路部的晶体管的氧化物半导体层来抑制电特性的变动并提高可靠性。