[发明专利]用于制造有机电致发光显示器的方法

说明书

本申请要求2012年10月31日在韩国提交的韩国专利申请No.10-2012-0122676的优先权，在此援引该专利申请的全部内容作为参考。

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光装置及其制造方法。

背景技术

有机电致发光装置是一种平板显示器，其具有亮度高和驱动电压低的优点。此外，有机电致发光装置由于是自发光类型而具有高对比度、薄外形、不受限制的视角以及低温下的稳定性，由于约几微妙的响应速度而易于显示图像，并且由于DC5V至15V的低驱动电压而便于制造和设计驱动电路。

因此，有机电致发光装置被用作诸如TV、监视器和移动电话之类的各种IT装置。

有机电致发光装置包括阵列器件和有机发光二极管。阵列器件包括连接至栅极线和数据线的开关薄膜晶体管以及连接至有机发光二极管的驱动薄膜晶体管。有机发光二极管包括连接至驱动薄膜晶体管的第一电极、有机发光层和第二电极。

从有机发光二极管发出的光朝着第一电极或第二电极行进，以显示图像。考虑到开口率，采用朝着第二电极发射光的顶发射型有机电致发光装置。

如上所述的有机电致发光装置的有机发光层通过热沉积方法而形成，其中采用由金属材料制成的遮蔽掩模来执行热沉积方法。

图1是示出根据现有技术采用遮蔽掩模的热沉积方法的示意图。

粉末形式的有机发光材料51位于具有加热装置的沉积装置50中。在真空腔室中，当操作加热装置以加热沉积装置50时，热量被传递给有机发光材料51，使得有机发光材料51升华。有机发光材料气体52通过沉积装置50的出口散发，并通过在沉积装置50的出口上方具有多个开口部OA1、OA2的遮蔽掩模30而选择性地沉积在基板70上，从而在基板70上形成有机发光层。

关于遮蔽掩模30的制造，利用例如包括光致抗蚀剂沉积、曝光、显影和蚀刻的掩模工艺，在顶表面和底表面上对金属板进行图案化，从而形成开口部OA1、OA2以及位于相邻开口部OA1、OA2之间的遮蔽部SA。位于顶表面区域的开口部OA1具有与位于底表面的开口部0A2不同的面积。

用于形成遮蔽掩模30的图案化工艺与遮蔽掩模30的金属材料的蚀刻速率以及遮蔽掩模30的厚度t有关。在沿一个方向蚀刻遮蔽掩模30的情况下，每个开口部OA1、OA2的尺寸差异出现得很多，并且由于每个位置的开口部OA1、OA2之间的面积差异导致的误差出现得很多。为了防止上述现象，对顶表面和底表面同时执行蚀刻。

相应地，开口部OA1、OA2的面积，更具体地说是宽度（开口部在面向基板70的表面的宽度）需要至少32μm，以便使得上述宽度落入允许的制造误差范围内。

在面向基板70的开口部的宽度A小于32μm的情况下，如果遮蔽掩模30的厚度t为常数（例如t=40μm），则位于遮蔽掩模30的底表面的开口部OA2具有更大的面积。在这种情况下，在相邻开口部OA2之间的部分，即肋部的宽度非常小，这导致遮蔽掩模30的硬度降低，因而当遮蔽掩模30下垂时，开口部会出现变形。

通过减小遮蔽掩模的厚度t可以解决这个问题。但是，由金属材料制成的遮蔽掩模的厚度通常限于40μm，小于40μm的金属板不会被制造出，因而制造具有这种厚度的遮蔽掩模是不可能的。即使允许这种厚度，在开口部OA1、OA2之间的承受力变小，因而下垂将出现得更多。

此外，当采用遮蔽掩模30将有机发光材料热沉积在基板70上时，由于阴影效应等而使材料在沉积工艺中扩散。换句话说，有机发光图案会形成在遮蔽掩模的开口部之外。并且，在沉积工艺中会出现遮蔽掩模30的位置变化以及遮蔽掩模30的开口部OA1、OA2的节距变化。考虑到这些各种因素，形成在相邻像素区域之间的边界部分的堤部（未示出）需要具有至少12μm的宽度。但是，具有至少12μm的堤部的形成会导致边界部分的增大，从而给显示装置的分辨率带来限制。

此外，当形成10英寸或更大的大尺寸显示装置时，遮蔽掩模30的面积需要增大；在这种情况下，遮蔽掩模（尤其是其中心部分）会由于重量增大而下垂得更多，有机发光层的形成误差将出现得更多。

因此，采用遮蔽掩模30来制造具有至少10英寸的大尺寸以及具有至少250PPI（每英寸的像素）的高分辨率的有机电致发光显示器是很困难的。

发明内容

因此，本发明旨在提供一种能够以大尺寸具有高分辨率和高精度的有机电致发光显示器及其制造方法。