[发明专利]像素结构及其制造方法、阵列基板和液晶显示面板无效

专利信息
申请号: 201310518501.4 申请日: 2013-10-28
公开(公告)号: CN103529604A 公开(公告)日: 2014-01-22
发明(设计)人: 刘国冬;胡明 申请(专利权)人: 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1337
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;陈源
地址: 230011 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 像素 结构 及其 制造 方法 阵列 液晶显示 面板
【权利要求书】:

1.一种像素结构,包括:栅线和数据线,所述栅线和所述数据线限定像素单元,所述像素单元包括:像素驱动单元、公共电极和像素电极,所述像素驱动单元与所述像素电极电连接,其特征在于,所述公共电极包括至少一个公共电极图形,所述像素电极包括至少一个像素电极图形,所述公共电极图形和所述像素电极图形相互嵌套且间隔设置,所述公共电极图形与相邻的所述像素电极图形之间形成使液晶分子偏转的电场。

2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述公共电极图形为环状结构,所述像素电极图形为环状结构。

3.根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于,多个所述公共电极图形以至少一个“回”字形结构排列,多个所述像素电极图形以至少一个“回”字形结构排列。

4.根据权利要求1至3任一所述的像素结构,其特征在于,所述公共电极还包括:第一公共电极连接图形和第二公共电极连接图形,所述公共电极图形之间通过所述第一公共电极连接图形连接,相邻像素单元内的公共电极图形之间通过所述第二公共电极图形连接。

5.根据权利要求1至3任一所述的像素结构,其特征在于,所述像素电极还包括:像素电极连接图形,所述像素电极图形之间通过所述像素电极连接图形连接。

6.根据权利要求1至3任一所述的像素结构,其特征在于,位于最外侧且靠近所述栅线的所述像素电极图形上设置有凸出部,所述凸出部与所述栅线之间的重叠部分形成存储电容。

7.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板和位于所述衬底基板上的上述权利要求1至6任一所述的像素结构。

8.一种液晶显示面板,其特征在于,包括:相对设置的彩膜基板和阵列基板,所述彩膜基板和所述阵列基板之间设置有液晶分子,所述阵列基板采用上述权利要求7所述的阵列基板。

9.一种像素结构的制造方法,其特征在于,包括:

形成栅线、数据线、像素驱动单元、公共电极和像素电极,所述栅线和所述数据线限定像素单元,所述像素驱动单元、所述公共电极和所述像素电极位于所述像素单元内,所述像素驱动单元与所述像素电极电连接,所述公共电极包括至少一个公共电极图形,所述像素电极包括至少一个像素电极图形,所述公共电极图形和所述像素电极图形相互嵌套且间隔设置,所述公共电极图形与相邻的所述像素电极图形之间形成使液晶分子偏转的电场。

10.根据权利要求9所述的像素结构的制造方法,其特征在于,所述形成栅线、数据线、像素驱动单元、公共电极和像素电极包括:

形成栅线、数据线、像素驱动单元和公共电极;

形成像素电极。

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