[发明专利]PNP晶体管无效
| 申请号： | 201310504628.0 | 申请日： | 2013-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103606555A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 丛国芳 | 申请（专利权）人： | 溧阳市东大技术转移中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/22 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | pnp 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种PNP晶体管，包括P型衬底、作为基极区域使用的N型外延层、N型埋入扩散层、作为基极引出区域使用的N型扩散层、作为发射极区域使用的P型扩散层、作为集电极区域使用的P型扩散层；其特征在于，基极区域形成于衬底上；N型埋入扩散层跨衬底和基极区域上而形成；基极引出区域形成于基极区域上；发射极区域形成于基极区域上；集电极区域形成在基极区域上；在所述作为基极区域使用的N型外延层中扩散有钨。
2.如权利要求1所述的PNP晶体管，其特征在于，所述衬底为单晶衬底。
3.如权利要求1或2所述的PNP晶体管，其特征在于，所述衬底为单晶硅衬底。
4.如权利要求1所述的PNP晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括形成在基极区域上的绝缘层。
5.如权利要求4所述的PNP晶体管，其特征在于，所述绝缘层为PGS膜。
6.如权利要求1所述的PNP晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括集电极、发射极和基极。
7.如权利要求6所述的PNP晶体管，其特征在于，所述集电极、发射极和基极用铝合金形成。
8.如权利要求7所述的PNP晶体管，其特征在于，所述集电极、发射极和基极用Al-Si形成。
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