[发明专利]一种碲基三元异质纳米线及其制备方法

权利要求书

1.一种碲基三元异质纳米线，其特征在于，由In-Sb-Te三元纳米线和二元纳米线组成，其中所述In-Sb-Te三元纳米线元素组成为In_1.60Sb_1.61Te，三种元素沿纳米线长度方向和径向均匀分布；所述二元纳米线为In-Sb纳米线，或者Sb-Te纳米线，所述In-Sb纳米线元素组成为InSb_2.79，两种元素沿纳米线长度方向和径向均匀分布；所述Sb-Te纳米线元素组成为SbTe_1.82，两种元素沿纳米线长度方向和径向均匀分布。

2.根据权利要求1所述的一种碲基三元异质纳米线，其特征在于，所述In-Sb-Te三元纳米线和二元纳米线的直径为纳米数量级，所述碲基三元异质纳米线整体长度为微米级。

3.根据权利要求1所述的一种碲基三元异质纳米线，其特征在于，所述In-Sb-Te三元纳米线和二元纳米线的直径为100—120nm，所述碲基三元异质纳米线整体长度为2～5微米。

4.一种碲基三元异质纳米线的制备方法，其特征在于，按照下述步骤进行：

步骤1，制备电解液：配制pH=2.2缓冲溶液，并向所述缓冲溶液中加入氯化锑、氯化铟和亚碲酸钾，完全溶解均匀；

步骤2，准备电解池：将模板的一面导电作为工作电极，同时在电解池中设置参比电极和对电极，并将步骤1制备的电解液转移至电解池中，然后将电解池密封通入惰性气体，以除去电解液中的溶解氧；

步骤3，进行电化学沉积：先进行恒电位沉积，电位为-1.4V或-0.4V，沉积20—30分钟，再进行差分脉冲电沉积，一个脉冲循环参数为在-1.4V下沉积200ms，然后-0.4V下沉积100ms，连续进行沉积30—40分钟。

5.根据权利要求4所述的一种碲基三元异质纳米线的制备方法，其特征在于，在所述步骤1中，所述pH=2.2缓冲溶液按照下述方法进行准备：柠檬酸1.05g、氢氧化钠0.42g、盐酸0.8ml溶解在49.2ml水中，超声分散成无色透明溶液；所述氯化锑、氯化铟和亚碲酸钾分别为体系提供元素锑、铟和碲，三种元素的摩尔比为4：4：1，例如10mM氯化锑（SbCl₃）、10mM氯化铟（InCl₃）2.5mM亚碲酸钾（K₂TeO₃）。

6.根据权利要求4所述的一种碲基三元异质纳米线的制备方法，其特征在于，在所述步骤1中，选择添加支持电解质硫酸钠，每50mL缓冲溶液中添加0.7102g。

7.根据权利要求4所述的一种碲基三元异质纳米线的制备方法，其特征在于，在所述步骤2中，选择孔径100nm的聚碳酸酯模板，通过喷金使其一面导电，作为工作电极使用；选择饱和甘汞电极为参比电极，选择铂片电极为对电极，并选择聚石英电解池。

8.根据权利要求4所述的一种碲基三元异质纳米线的制备方法，其特征在于，在所述步骤2中，选择通入惰性气体的时间为30min，以除去电解液中的溶解氧，例如氮气、氩气或者氦气。

9.根据权利要求4所述的一种碲基三元异质纳米线的制备方法，其特征在于，在所述步骤3中，选择室温20—25摄氏度下进行恒电位沉积和差分脉冲电沉积。

10.根据权利要求4所述的一种碲基三元异质纳米线的制备方法，其特征在于，在所述步骤3中，在进行恒电位沉积时，优选20min；在进行差分脉冲电沉积时，按照脉冲循环参数连续进行沉积，优选30min。