[发明专利]减小负偏压温度不稳定性的CMOS器件制作方法

权利要求书

1.一种减小负偏压温度不稳定性的CMOS器件制作方法，其特征在于包括：

第一步骤，在衬底中进行阱注入形成P型阱以及N型阱；

第二步骤，在衬底表面制作栅极氧化层；

第三步骤，在栅极氧化层表面进行栅极层的淀积；

第四步骤，对栅极层进行光刻以形成在P型阱上形成PMOS栅极，在N型阱上形成NMOS栅极；

第五步骤，在PMOS栅极和NMOS栅极的侧边分别制作栅极侧墙一；

第六步骤，进行轻掺杂注入在P型阱中形成PMOS轻掺杂源漏结构，并在N型阱中形成NMOS轻掺杂源漏结构；

第七步骤，在器件表面淀积氮化硅薄膜；

第八步骤，利用UV光对硅片进行照射；

第九步骤，在栅极侧墙一侧边制作形成侧墙二；

第十步骤，进行源漏注入形成，从而在P型阱中形成PMOS源漏极，在N型阱中形成NMOS源漏极。

2.根据权利要求1所述的减小负偏压温度不稳定性的CMOS器件制作方法，其特征在于还包括：第十一步骤，用于制作金属前介质、通孔、金属插塞和金属层。

3.根据权利要求1或2所述的减小负偏压温度不稳定性的CMOS器件制作方法，其特征在于，在第一步骤中，通过磷掺杂形成N阱，通过B掺杂形成P阱。

4.根据权利要求1或2所述的减小负偏压温度不稳定性的CMOS器件制作方法，其特征在于，第三步骤中，淀积的栅极层的材料是多晶硅。

5.根据权利要求1或2所述的减小负偏压温度不稳定性的CMOS器件制作方法，其特征在于，在第五步骤中，栅极侧墙一的形成包括多晶硅栅的氧化和SiN的淀积。

6.根据权利要求1或2所述的减小负偏压温度不稳定性的CMOS器件制作方法，其特征在于，第六步骤中轻掺杂杂质为氟化硼。

7.根据权利要求1或2所述的减小负偏压温度不稳定性的CMOS器件制作方法，其特征在于，第八步骤中利用UV光对硅片进行照射的温度为450-480℃，照射时间为100-150S。

8.根据权利要求1或2所述的减小负偏压温度不稳定性的CMOS器件制作方法，其特征在于，第九步骤中侧墙二的形成包括氧化物的淀积，SiN的淀积以及SiN的刻蚀。

9.根据权利要求1或2所述的减小负偏压温度不稳定性的CMOS器件制作方法，其特征在于，在第十步骤中，通过P型掺杂注入形成P型的源漏极，所述P型掺杂为硼掺杂。