[发明专利]基板支撑装置无效
申请号: | 201310488583.2 | 申请日: | 2013-10-17 |
公开(公告)号: | CN103500727A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 王云靖;刘滔滔;郭世佳 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 赵根喜;李昕巍 |
地址: | 201500 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 支撑 装置 | ||
技术领域
本发明涉及平板显示面板制造领域,尤其涉及一种基板支撑装置。
背景技术
现有技术中,随着面板行业的迅猛发展,对玻璃基板的薄化要求也随之提高。厚度减薄后的玻璃基板的弯曲(Bending)量大大增加,随之破片率也大大增加,给真空镀膜设备带来很大的挑战。
对于镀膜装置,其需要在镀膜之前进行抽真空的操作,因此在镀膜平台的上游具有用于抽真空的工作平台。现有技术的这种用于抽真空的工作平台如图1所示,在工作平台1上,分布着三行三列共九根升降支撑杆(Lift-pin)2,图1中的虚线表示被支撑支撑杆所支撑的玻璃基板(Substrate)的理想状态。升降支撑杆2在支撑玻璃基板时升起,其他时间,升降支撑杆2可以收回至工作平台1内。
然而,现有技术的工作平台1的升降支撑杆2分布在玻璃基板3的边缘及中央位置,如图2所示,以现有技术的升降支撑杆2,用来支撑0.5~0.7mm的玻璃基板3尚且可以。但是无法应对0.3~0.4mm的玻璃基板。因为在玻璃基板3厚度减薄时,其弯曲量加大,两升降支撑杆2中间位置的玻璃基板3距离工作平台1的表面的距离减小,这使得自动机械的机械臂9进行取片时,没有足够的空间(主要是高度)伸入到玻璃基板3与工作平台1之间,容易因干涉而产生撞片和破片现象,影响正常生产的进行。
因此,需要一种新型支撑结构,对玻璃基板3进行有效支撑,减少玻璃基板3的弯曲量,避免弯曲的玻璃与自动机械(Robot)的机械臂9发生干涉,以降低破片率,维护生产的正常进行。
发明内容
针对现有技术中存在的问题,本发明的目的为提供一种基板支撑装置,以解决现有技术的升降支撑杆支撑玻璃基板时因玻璃基板弯曲量大而造成易与自动机械干涉,破片率高的技术问题。
为实现上述目的,本发明的技术方案如下:
一种基板支撑装置,所述基板支撑装置包括一工作平台,用以支撑一基板;以及一中央支架和角部支架,用于将所述基板移入或移出所述工作平台,所述中央支架设置在所述工作平台上,包括第一升降支撑柱、一纵杆和多个横杆,所述纵杆连接于所述第一升降支撑柱一端,所述多个横杆设置在所述纵杆上,所述第一升降支撑柱垂直于所述纵杆和所述多个横杆所在的平面并可升降地支撑所述纵杆和所述多个横杆;所述角部支架设置在所述工作平台的角部,每个角部支架包括第二升降支撑柱和垂直连接于所述第二升降支撑柱一端的顶杆,所述顶杆与所述纵杆共面。
本发明的有益效果在于,本发明的基板支撑装置,加装了中央支架和角部支架后,基板支撑装置与玻璃基板接触面积比现有技术的升降支撑杆与玻璃基板的接触面积显著增加,支撑面更大,大大减少了玻璃基板的弯曲量。且加装的中央支架和角部支架选在玻璃基板下方的中间位置与边缘位置,与自动机械的机械臂无干涉。大大降低了破片率,维护了生产的正常进行。
附图说明
图1为现有技术的用于抽真空的工作平台示意图;
图2为现有技术的玻璃基板弯曲情况示意图;
图3为自动机械在现有技术用于抽真空的工作平台取片时的示意图;
图4为本发明第一实施例的基板支撑装置支撑玻璃基板的俯视示意图;
图5为本发明第一实施例的基板支撑装置的中央支架的立体示意图;
图6为本发明第一实施例的基板支撑装置支撑玻璃基板的主视示意图;
图7为本发明第一实施例的基板支撑装置的角部支架的立体示意图;
图8为本发明第二实施例的基板支撑装置支撑玻璃基板的俯视示意图;
图9为本发明第二实施例的基板支撑装置的中央支架的立体示意图;
图10为自动机械在本发明第一实施例的基板支撑装置取片时的示意图;
图11为本发明第三实施例的基板支撑装置支撑玻璃基板的俯视示意图。
具体实施方式
体现本发明特征与优点的典型实施例将在以下的说明中详细叙述。应理解的是本发明能够在不同的实施例上具有各种的变化,其皆不脱离本发明的范围,且其中的说明及附图在本质上是当作说明之用,而非用以限制本发明。
本发明实施例的基板支撑装置中的工作平台,优选的为镀膜平台上游的用于抽真空的工作平台。
下面具体介绍本发明第一至第四实施例的基板支撑装置。但本发明并不局限于这四个实施例。
第一实施例:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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