[发明专利]一种低介复合绝缘材料及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及绝缘材料制备技术领域，特别是涉及一种低介复合绝缘材料及其制备方法。 

背景技术

绝缘材料是用于使不同电位的导电部分隔离的材料，广泛应用于电气设备、航空、航天和通讯技术领域。随着电气设备不断向小型化、轻量化、高密度化方向的发展，出现了高耐热性的绝缘材料，保证电气设备在高温、高负载等严酷条件下长期可靠运行。近年来，随着半导体技术及航空、航天、通讯技术的快速发展，封装绝缘材料还必须具备低的介电常数以进一步提高信号的传输速度，减少信号的延迟时间。 

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种低介复合绝缘材料及其制备方法。 

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种低介复合绝缘材料，包括：硅硼酸盐玻璃和钙长石，所述硅硼酸盐玻璃为基体相，钙长石为掺杂相；所述硅硼酸盐玻璃和钙长石的质量百分配比为60～80: 20～40。 

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种制备低介复合绝缘材料的方法，该制备方法步骤包括： 

（1）制备钙长石：在带自动搅拌功能的高温高压反应釜中依次加入干燥的氢氧化铝、碳酸钙和二氧化硅，在一定温度、压力条件下反应2h得到钙长石备用；

（2）制备低介复合绝缘材料：将硅硼酸盐玻璃和步骤（1）制备的钙长石干燥、混合后，用湿法球磨机研磨30min，干燥，再加入粘合剂干压成型，成型样品经950～980℃烧结30～60min，得到低介复合绝缘材料。

在本发明一个较佳实施例中，所述步骤（1）中，氢氧化铝、碳酸钙和二氧化硅的质量百分配比为1:3:2。 

在本发明一个较佳实施例中，所述步骤（1）中，所述反应温度为1200℃，反应压力为10MPa。 

在本发明一个较佳实施例中，所述步骤（2）中，所述硅硼酸盐玻璃和钙长石的质量配比为65:35。 

在本发明一个较佳实施例中，所述步骤（2）中，所述烧结温度为965℃，烧结时间为45min。 

本发明的有益效果是：本发明一种低介复合绝缘材料的制备方法，操作简便，容易实现，所制备的低介复合绝缘材料具有抗折强度高、介电常数低的优点，可显著提高信号的传输速度。 

具体实施方式

下面对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。 

本发明所用原料均为工业纯，市售，未提到的反应条件按本领域常规条件进行。 

本发明实施例包括： 

一种低介复合绝缘材料，包括：硅硼酸盐玻璃和钙长石，所述硅硼酸盐玻璃为基体相，钙长石为掺杂相；所述硅硼酸盐玻璃和钙长石的质量百分配比为60～80: 20～40。

本发明制备方法如下： 

（1）制备钙长石：在带自动搅拌功能的高温高压反应釜中按质量比为1:3:2的比例依次加入干燥的氢氧化铝、碳酸钙和二氧化硅并混合均匀，在1200℃、10MPa下反应2h得到钙长石备用；

（2）制备低介复合绝缘材料：将硅硼酸盐玻璃和步骤（1）制备的钙长石干燥并以65:35的质量比例混合，用湿法球磨机研磨30min，干燥，再加入粘合剂干压成型，成型样品经965℃烧结45min，得到低介复合绝缘材料。

上述方法制备的低介复合绝缘材料的主要性能如下： 

介电常数4.585，介质损耗2.35×10^-3，抗折强度115MPa，50～550℃下的热膨胀系数为3.0×10^-6/℃。

以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。